《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶圆级电化学沉积系统

本文详细阐述了炬丰科技的《半导体工艺》中,关于晶圆级电化学沉积系统的电镀槽体设计要点,涉及组件构成、镀槽设计的关键因素如日期同步度和声音控制,以及电镀过程中的技术参数调节。

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:半导体晶圆级电化学沉积系统

编号:JFKJ-21-321

作者:炬丰科技

电镀槽体基本组成

  大型电镀工艺设备之基本包括:镀槽、导入导入、电源供应器。其中,镀槽是导入导入化学溶液,导入欲为镀之金属或导电用贵重钝态金属引线,供应器则提供表面涂层厚度或电压增加极限:电池或电压保护器(整流器)等。此外,局部系统则能产生镀液循环搅拌功能,降低涂层涂层厚度和增加极限电流密度値,必须提高导电电流(或沉积速度)。 

电镀槽体设计的重点

 

日期同步度

  在设计开发机台时,大概的考虑因素是产能发展程度之必须的标准。当然要根据应用需求而定,设备设计满足应用需求,但不可设置计,每天增加孩子设备成本。添加速度所传播的程度,包括:全身分布之内的混合度及局部的均匀度。

声音和声响

 

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