- 博客(200)
- 资源 (1)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 【氧化镓】掺杂在β-Ga2O3材料中引入的深能级缺陷
本研究通过热缺陷谱（DLTS）和光缺陷谱（DLOS）等实验技术，深入研究了碳、氮和镁掺杂在β-Ga2O3中引入的补偿深能级缺陷。研究结果表明，不同掺杂元素引入的缺陷能级位置和补偿效率各不相同，对材料的电学性能有显著影响。
2025-03-23 18:48:54
47
原创 【可靠性】高κ-SrTiO3 MoS2 FET的稳定性和可靠性
2025年，维也纳工业大学的Seyed Mehdi Sattari-Esfahlan和Tibor Grasser等人基于实验研究，深入探究了单晶SrTiO3（STO）基MoS2场效应晶体管（FETs）的性能、稳定性和可靠性。研究团队通过脉冲激光沉积（PLD）方法制备了STO薄膜，并将其与MoS2薄片集成，构建了背栅FET器件。实验结果表明，STO作为栅介质展现出诸多优异特性。首先，STO具有超高介电常数（约300），能够有效降低漏电流，使器件在等效氧化物厚度（EOT）约为4.8 nm时，漏电流密度低至约10
2025-03-23 16:11:27
981
原创 【氮化镓】开态GaN HEMTs中氧诱导Vth漂移的缺陷演化
2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Rong Wang等人基于实验研究和第一性原理计算，研究了开启态偏置下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中氧诱导的阈值电压（Vth）漂移的缺陷演化机理。实验结果表明，在开启态应力作用下，T型栅AlGaN/GaN HEMT的Vth发生了明显的负向漂移，且这种漂移与GaN通道中约0.8 eV处的缺陷能级的减少密切相关。进一步的1/f噪声测量和温度依赖性实验揭示了开启态应力下GaN通道中缺陷的演化情况，表明热载流子应力导致了缺陷能级的变化。
2025-03-10 17:33:29
259
原创 【氮化镓】高输入功率应力诱导的GaN 在下的退化LNA退化
2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Tong等人基于实验与第一性原理计算方法，研究了Ka波段GaN低噪声放大器（LNA）在高输入功率应力下的退化机制。实验结果表明，在27 GHz下施加1 W连续波（CW）输入功率应力后，LNA的增益下降约1 dB，噪声系数（NF）增加约0.7 dB。进一步的测量发现，阈值电压（Vth）的正向偏移导致了增益的下降，而栅极漏电流（Ig）的增加则是NF退化的主要原因。
2025-03-10 15:53:01
99
原创 【氮化镓】基于SiC脉冲I-V系统研究Schottky型p-GaN HEMT正栅极ESD机制
探讨肖特基型p-GaN门极高电子迁移率晶体管（HEMTs）在正向门极人体模型（HBM）静电放电（ESD）条件下的鲁棒性和机制。通过使用基于碳化硅（SiC）MOSFET的高速脉冲I-V测试系统，作者们详细分析了在显著但非破坏性的放电事件中观察到的高瞬态正向门极漏电流（IG），并揭示了其主要由AlGaN势垒的电子热发射所主导，这一过程受到p-GaN门极堆叠内部动态电容电压分配的影响。
2025-03-04 10:54:44
282
原创 【氮化物】纤锌矿结构晶体中自发极化方向
自发极化是纤锌矿结构的一个关键特性，它是由晶体内部的电荷分布不均匀造成的。这种固有的极化现象对材料的电子性质有着深远的影响，包括载流子的类型和密度，这些都是设计和优化半导体器件时必须考虑的因素。例如，在HEMTs中，自发极化会影响二维电子气的形成和其迁移率，进而影响器件的性能。这篇文章通过理论分析和实验验证，成功地解决了纤锌矿结构晶体中自发极化方向的混淆问题。作者的发现对于半导体器件的设计和性能优化具有重要意义，特别是在III-N化合物的应用中。
2025-03-04 10:26:19
56
原创 【TCAD】AlGaN 器件的Sentaurus仿真
否则，必须在 LatticeParameters Sentaurus Device 的参数文件中的部分。Sentaurus Device 有两个工具实例：第一个工具实例， sd_fdiv ，模拟正向偏置特性，第二个工具实例， sd_rviv ，模拟反向偏置特性直至击穿。对于牛顿求解器，通常应该将非线性迭代次数限制为一个足够小的值，例如 Iterations=20 ，同时通过指定非阻尼迭代次数高于允许的牛顿迭代次数来避免解的阻尼（ NotDamped=30 ）。晶胞中的 Ga-N 键为橙色。
2025-02-26 14:49:05
148
原创 【TCAD】Sentaurus 中的“陷阱trap”仿真设置
允许使用有限的数据集名称 SFactor 规范，例如 DeepLevels ， xMoleFraction ， 和 yMoleFraction （从兴奋剂档案中读取） eTrappedCharge 和 hTrappedCharge （从指定的文件中读取 DevFields 在 File 部分）或 PMI 用户字段 PMIUserField0...10 （从指定的文件中读取 PMIUserFields 在 File 部分）。给定的陷阱截面 eNeutral 陷阱是多种多样的 Xsec 项目参数。
2025-02-26 14:31:34
375
原创 【氮化镓】集成ESD提高GaN HEMT稳定性
这项工作提出了一种与GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)单片集成的栅极静电放电(ESD)保护电路。除了增强栅极对ESD事件的鲁棒性外，该多功能电路还提高了功率HEMT正常开关操作时导通电阻(RON)和阈值电压(VTH)的稳定性。这种改进是通过将HEMT的负栅极偏压(VG)钳位在关断状态来实现的，这是功率p栅极GaNHEMT中RON和VTH不稳定的关键原因。部署了一个电路装置，用于现场监控动态RON及其从第一个开关周期到稳态的演变。
2025-01-19 19:14:30
298
原创 【氮化镓】香港科技大学陈Kevin-单片集成GaN比较器
通过引言部分的介绍，我们可以看到，文章是在GaN HEMT技术快速发展和GaN功率集成电路逐渐成熟的背景下展开的。作者们敏锐地捕捉到了GaN CL配置在提高能效和简化电路设计方面的优势，并针对GaN p-FET这一长期限制因素的突破，提出了基于GaN CL的两级比较器这一创新性研究课题。这一课题不仅具有理论研究价值，还对实际的功率转换系统设计具有重要的指导意义，有望推动GaN功率集成电路技术向更高性能、更低功耗的方向发展。
2025-01-17 14:24:54
271
原创 ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 汽车电磁兼容性 (EMC) LTspice瞬态模拟
by简介在汽车产品设计阶段的早期模拟 ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 瞬态可以查明电磁兼容性 (EMC) 测试期间可能会暴露的问题。如果产品未通过 EMC 测试，则需要修改硬件、项目进度受到影响，并且由于对新硬件进行重复测试而产生额外成本。花几分钟或几小时在 LTspice 中模拟保护电路有助于避免由于 EMC 故障而导致昂贵的硬件重新设计。ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 是设计汽车电子产品的工程师最常遇到的规范。
2025-01-14 14:13:51
1107
原创 【备份】origin提示盗版解决方法-V2
你最初下载的安装包文件夹中的Hosts Edit.exe 上右键-以管理员身份运行可以修改host。如果某些电脑依然跳出3分钟提示（不真实影响使用），尝试在host文件最后再添加一条。下载后解压到文件夹，然后在bat文件上右键-以管理员身份运行。下载这个批处理：文件大小1kb，下载地址任选一。出现下图这样窗口，然后关闭黑窗口即可。然后重新打开origin软件试试。
2025-01-14 12:03:59
330
原创 【氮化镓】p沟道GaN-on-Si晶体管的衬底偏置效应
在实际应用中，p沟道场效应晶体管（p-FET）的源极通常连接到高电压，因此衬底到源极的偏置电压（VBS）可能不为零。本研究首次报告了p-FET的漏极电流（ID）与VBS之间的依赖性，并从垂直电场（EF）分布的角度分析了背后的机制。
2024-12-23 12:01:41
292
原创 【氮化镓】瞬态电流法提取GaN HEMT器件陷阱位置
通过考虑HEMTs在不同温度下的瞬态漏电流，识别了三种捕获机制：（1）在靠近二维电子气（2DEG）通道的栅极-漏极区域的AlGaN势垒层中的电荷捕获；（2）在靠近栅极的栅极-漏极区域的GaN层中的电荷捕获；以及（3）在靠近栅极的栅极-漏极区域的AlGaN层表面的电荷捕获。
2024-12-05 17:33:55
431
原创 【氮化镓】p-GaN HEMT器件高温栅极寿命解决方案
文章介绍了一种改善肖特基栅p-GaN HEMTs正向偏置栅极可靠性的方法。特别提出了一种栅极布局解决方案GWA，旨在提高高温下的失效时间（TTF）。这种方法避免了栅极手指（p-GaN/金属）暴露于氮注入，这是为了终止和隔离目的所需的。GWA器件在高温下显示出比参考器件更好的栅极可靠性，无论是在直流（DC）还是脉冲应力测试下。最后，文章证明了肖特基栅p-GaN HEMTs在高达150°C的温度范围内显示出正的温度依赖性栅极TTF，确认了影响离子化对栅极失效的关键作用。
2024-12-05 17:10:27
166
原创 【氮化镓】用于低压射频电源的具有80.4% PAE的Si基E-Mode AlN/GaN HEMT
本文是一篇关于增强型（E-mode）AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究论文，晶体管是在硅衬底上制造的，并在3.6 GHz频率下展示了80.4%的峰值功率附加效率（PAE）。
2024-11-19 14:54:33
322
原创 【氧化镓】氧化镓SBD器件重离子辐照诱导的SEB机制
本研究的主要目的是系统地研究β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）在205 MeV锗离子辐射下的单事件烧毁机制。通过实验和TCAD（技术计算机辅助设计）模拟，探讨SEB的阈值电压、敏感烧毁位置及其背后的物理机制。文章强调了对β-Ga₂O₃ SBD在辐射环境下的可靠性评估的重要性，为未来的器件级硬化提供理论和实验依据。
2024-11-12 10:38:40
207
原创 【氮化镓】TCAD模拟研究缓冲层对器件SEB的影响机制
文章中使用Silvaco TCAD模拟器来分析p-GaN HEMTs的SEB特性。模拟中考虑了重离子撞击对器件的影响，特别是关注了栅极区域，因为这是器件最敏感的部分。模拟中重离子的入射位置被设定在栅极边缘，这与图1中的红色箭头所示的位置一致。GaN缓冲层：厚度为4.5微米，这是器件结构的基础部分，对电子迁移率有重要影响。GaN通道层：厚度为200纳米，是载流子传输的主要区域。Al0.15Ga0.85N势垒层：厚度为25纳米，用于限制载流子的流动，提高器件的控制能力。p-Al0.15Ga0.85N层。
2024-10-23 18:54:05
182
原创 【氮化镓】低温对p-GaN HEMT迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅的影响
实验结果表明，p-GaN HEMT在低温下展现出了优异的电气特性，包括低亚阈值摆幅、高ION/IOFF比和高的ID,max。这些特性使得p-GaN HEMT非常适合用于低温电子应用。此外，通过建模和拟合实验数据，研究者们能够深入理解这些特性背后的物理机制，并为未来的器件设计和优化提供了理论基础。
2024-10-15 18:58:17
461
原创 【氮化镓】基于氮化镓的互补逻辑集成电路[Nature Electronics]
本文的研究成果标志着GaN CMOS技术在功率电子和射频应用中的重要进展。通过创新的OPT技术，实现了p型和n型FETs的有效集成，为构建复杂逻辑电路提供了可能。此外，GaN基电路在高温下的稳定性，为其在极端环境中的应用打开了新的大门。这项工作不仅展示了GaN CMOS技术的潜力，也为未来的研究和应用指明了方向。图1扩展——单片集成的分立晶体管制造工艺步骤。
2024-10-12 19:14:50
404
原创 **Adobe Acrobat XI 键盘快捷键指南**
**启用/禁用高对比度模式**：`Ctrl` + `Alt` + `H`（根据具体版本和设置可能有所不同）- **旋转页面**：`Ctrl` + `Shift` + `+`（顺时针）/ `-`（逆时针）- **重新排序页面**：拖放页面缩略图或使用`Ctrl` + `Shift` + 上下箭头键。- **插入页面**：`Ctrl` + `I`（然后选择文件或位置）- **阅读模式**：`Ctrl` + `L`（通常用于全屏阅读）- **删除页面**：`Ctrl` + `D`（选中页面后）
2024-08-22 17:23:33
789
原创 【碳化硅】碳化硅逻辑电路漏电机制
本文研究了4H-SiC CMOS逻辑电路在伽马射线辐射下的漏电性能，详细分析了辐射对4H-SiC CMOS反相器（INV）和NOR门电路的影响，并观察到在300kGy辐射剂量下输出电压摆幅的显著降低和漏电流的大幅增加。通过EMMI测试和版图分析，文章揭示了辐射引起的正电荷积累导致P-外延层反转，形成从N-阱到P-外延的电子漏电流路径。研究提出了在SiC逻辑电路中采用浮动P+环的加固建议，以抑制P-外延层反转和阻断漏电流，从而提高电路的辐射抗性。这项工作对于设计能在高辐射环境下稳定工作的电子设备具有重要意义。
2024-08-14 14:16:46
964
原创 新兴材料中载流子迁移率的霍尔效应测量
霍尔效应测量是评估半导体材料电子性质的重要工具。它可以用来确定载流子浓度（n）和迁移率（µ），区分不同的输运机制，并分离不同载流子类型或陷阱状态的贡献。与基于场效应晶体管、时间分辨光学和微波测量、飞行时间、空间电荷限制电流测量等其他迁移率提取方法不同，霍尔效应测量关注热化载流子的稳态输运，并提供对 n 和 µ 的直接提取。它还可以为在其他技术难以实施的情况下评估迁移率提供途径。然而，在使用这种方法时，实验细节的严谨性和清晰度至关重要，尤其是在越来越多地用于表征新兴半导体材料中的电荷输运时。
2024-07-31 18:14:48
1171
原创 【PRL计算】半导体中深能级载流子非辐射复合速率的从头算
这篇文章通过开发新的算法和计算方法，成功地应用第一性原理密度泛函理论来计算半导体中的深能级非辐射复合速率。研究结果不仅对GaN材料的理解具有重要意义，而且对半导体物理和器件设计领域也有广泛的应用前景。通过这种方法，研究人员可以更深入地了解半导体中的电荷传输过程，并为设计更高效的半导体器件提供理论支持。
2024-07-26 15:10:36
1523
原创 【氮化镓】TCAD模拟研究Mg沟道注入对GaN器件结终端扩展的影响
本研究通过 TCAD 模拟系统地研究了 channelling 和 random 注入对 GaN 基 JTE 结构性能的影响，结果表明 channelling 注入的 JTE 结构具有更宽的 BV 峰值窗口、更好的面积效率和对界面电荷密度变化更好的容忍度。channelling 注入技术是一种非常有前景的 GaN 基 JTE 结构制备技术，有望推动高压 GaN 功率器件的发展。
2024-07-24 19:14:43
979
原创 【界面态】霍尔效应表征氮化对SiC/SiO2界面陷阱的影响
作者提出了一种新的表征方法，通过使用分裂C-V方法和霍尔效应测量来扩展Dit(E)能量范围的极限。这种方法的核心思想是对SiO2/SiC界面处的自由（移动）和捕获载流子的密度进行定量表征。通过精确解决MOS结构中的泊松方程，最小化了应用栅极电压（Vg）与界面陷阱能量（Et）之间的关系误差。
2024-07-09 19:53:12
1849
2
原创 【氮化镓】Kevin J. Chen组新作—肖特基p-GaN HEMTs正栅ESD机理研究
文章通过对Schottky型p-GaN门HEMTs在正向门ESD事件中的鲁棒性进行研究，揭示了其高瞬态正向IG的机制，这对于理解和改进这类器件的ESD保护具有重要意义。作者使用基于SiC MOSFETs的高速脉冲I-V测试系统，不仅提供了一种新的测试手段，而且通过实验数据和理论分析，为设计具有更高ESD鲁棒性的p-GaN门HEMTs提供了科学依据。
2024-07-08 18:05:38
1229
原创 【嫦娥四号】月球着陆器中子和剂量测量（LND）实验
嫦娥四号着陆器上的LND实验成功实现了月球表面的首批主动剂量测量和中子探测任务，为月球载人探索提供了关键数据支持。LND实验不仅获得了月球表面辐射场的剂量率和LET谱等重要信息，还展示了基于钆的热中子探测技术在空间探测任务中的应用潜力。这些数据对于理解月球表面的辐射环境、评估载人月球任务的安全性以及推动行星探测技术的发展具有重要意义。展望未来，随着深空探测任务的不断发展和技术的不断进步，LND实验的成果和经验将为未来的行星探测任务提供重要参考和借鉴。同时，基于钆的热中子探测技术也有望在更多领域得到应用。
2024-07-03 16:14:03
1070
原创 【氮化硼】 h-BN薄膜的受控辐射损伤和边缘结构
本文展示了通过化学剥离法合成的六方氮化硼（h-BN）膜在80 kV电子束辐照下表现出比石墨烯更高的抗辐射损伤能力。研究表明，即使在长时间电子束辐照下，单层h-BN也不会形成空位缺陷或发生非晶化。实验观察到在h-BN薄膜中，锯齿形边缘结构占主导地位，且这些边缘主要由氮原子终止。此外，通过量子化学计算验证了实验观察到的辐射损伤阈值能量，揭示了h-BN相对于石墨烯在辐射稳定性方面的优势。这些发现为h-BN在高温润滑剂、绝缘体和高温复合材料等领域的应用提供了重要的科学依据。
2024-07-02 17:16:05
1222
原创 sentaurus修改界面字体
修改界面字体，view——table options——change table。在出现的选框中选择使用系统默认或者自定义字体。
2024-06-07 12:52:08
941
原创 jedit在sentaurus中的使用
使用sentaurus中，jedit经常不按注释显示对应的颜色标记，检查发现宏文件也是安装好了的，这时候需要按照文件是属于sdevice还是sprocess来设置其显示规则或者模式，来正确显示。具体设置如下，在标1处双击，在标2处选择文件所属的edit mode，然后确认即可正确显示。本操作参考自懒小木教程。
2024-06-06 17:53:36
1091
原创 sentaurus节点重排
sentaurus使用时，有时候节点顺序会比较乱，为了方便更好的查看，可以对其进行重新编排，操作方法如下，右键——project——clean up。然后选中chean up 选项中的renumber the Tree，然后点击cleanup操作完成即可。
2024-06-05 17:56:30
762
1
原创 sentaurus报错记录1
或者(sde:set-process-up-direction "+z")设置(sde:set-process-up-direction "0")
2024-06-05 16:27:37
685
原创 光谱波长、波数与能量的转换
而h=4.13×10-15 eV/s，c=3×1017 nm·s，波数与能量：1240*(波数) /cm=10^7*(能量) eV。波长与能量：1240/λ(nm)=(能量) eV。波长与波数：107/λ(nm)=(波数) /cm。（1）E=h·ν，h为普朗克常数，ν为频率；（2）c=λ·ν，λ为波长，ν为频率。从（1）（2）可得到E=hc/λ，故hc=1240 eV·nm。
2024-05-29 14:30:31
4080
原创 【Ctrl】+【Shift】+【Win】+【B】解决chrome浏览器上方白条或黑条
在键盘上按下组合键【Ctrl】+【Shift】+【Win】+【B】,四个键同时按下,重新加载驱动图形程序即可。
2024-05-29 14:14:47
2395
原创 【氮化镓】陷阱对GaN器件PAE和线性度影响的建模
提出了一种结合 TCAD 物理模型和紧凑模型的新方法，用于分析和预测 GaN HEMTs 的射频性能，特别是考虑到陷阱效应对功率附加效率和线性度的影响。通过 TCAD 校准的紧凑模型能够准确地模拟射频大信号性能，并与实验数据吻合良好。此外，该方法还提供了一种将 TCAD 与射频大信号模拟直接联系起来的新途径，有助于理解陷阱密度对 HEMT 性能的具体影响，从而为 GaN HEMTs 的设计和优化提供了有力的工具。。
2024-05-17 01:00:00
968
【Nature Electronics】二维钙钛矿氧化物SNO作为high-κ栅介质的应用
2024-04-03
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人