《炬丰科技-半导体工艺》硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制

编号：JFKJ-21-235

作者：炬丰科技

文摘

  薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。需要更薄的模具来适应更薄的包装。使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比，应力更小。硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物，并添加化学物质来调整粘度和单晶圆旋转加工的表面润湿性。当硅被蚀刻并并入蚀刻溶液时，蚀刻速率将随时间而降低。这种变化已经建模。这些模型可以延长时间，补充化学物质，或者两者兼而有之。