湿法清洗技术对于确保先进半导体器件的可靠性和良率至关重要，因为微小的颗粒可能导致设备失效。随着技术节点的缩小，清洗步骤显著增加，如45纳米到10纳米节点的清洗步骤从150-200增加到800多个。传统的清洗方法可能对精细结构造成损害，因此需要专门针对先进技术节点开发的湿晶圆清洗技术。选择正确的清洗工艺对于防止对finFET和硅通孔等精细结构的损伤至关重要。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：晶圆湿法清洗技术
编号：JFKJ-21-167
作者：炬丰科技
摘要
虽然听起来可能不像极紫外光刻那么吸引人，但湿晶圆清洗技术可能比 EUV 更重要，以确保成功的前沿节点、先进的半导体器件制造。这是因为器件可靠性和最终产品良率都与晶圆在经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤时的清洁度直接相关。
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