《炬丰科技-半导体工艺》光学发射光谱的应用

本文探讨了光学发射光谱(OES)在半导体集成电路制造中的关键作用,特别是在等离子体蚀刻和端点检测中的应用。通过OES技术,可以监控等离子体条件,精确控制蚀刻过程,确保复杂图案转移的准确性。此外,OES也被用来检测腐蚀终点,对半导体制造过程进行有效监控和控制。

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:光学发射光谱的应用

编号:JFKJ-21-205

作者:炬丰科技

摘要  

  光学发射光谱已被证明是一种有价值的工具在开发和生产最先进的半导体器件。应用于等离子体蚀刻所需的各种材料重点讨论了集成电路的制造关于刻蚀端点分析OES技术在监控中的应用。  

介绍  

  把复杂的图案转移到表面上的过程一种硅片,以生产集成电路这对化学家和工程师都是一个巨大的挑战。它要求形成精确的掩模,以及高度控制的蚀刻技术。光发射是这两个过程步骤的固有部分;作为一个曝光源用于光刻的前一种,并作为副产物射频激励在后者。本文将讨论通过光学发射光谱表征这种发射,使用这种技术来监视和控制某些方面半导体制造过程。  

本文还讲述了监控等离子体条件腐蚀端点检测光电现象等问题。

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