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[2025-2-19]光刻机、芯片、人工智能、机器人领域国内外学界进展
一、光刻机/半导体领域
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富士胶片在SPIE Advanced Lithography + Patterning 2025 会议上展示最新研究成果 (2月23-27日, 圣何塞)
富士胶片公司宣布,其电子材料研发中心的两位代表,小柳圭佑和赤间明浩,将在 SPIE 2025 先进光刻+图案化会议(SPIE 2025)上,就其最新关于先进光刻技术(特别是 EUV 光刻阻剂和 EUV 显影剂以及纳米压印光刻阻剂)的研究发表两篇论文。 -
EUV光刻技术未来展望
随着人工智能芯片需求增长,EUV光刻技术作为关键技术,其设备、掩模和光刻胶技术持续改进,但良率提升仍需努力,工艺稳定性需要持续关注。先进节点芯片对支持一切 AI 需求的快速增长正在给行业满足需求的能力带来压力。半导体在从为大型语言模型提供动力的超大规模数据中心到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘 AI 等应用中的需求正在加速。但制造这些芯片严重依赖极端紫外(EUV)光刻技术,这已成为扩大生产规模的最大障碍之一。
人工智能加速器、大规模 GPU 和高性能 CPU 需要越来越小的晶体管以最大化能效和计算密度。英伟达、AMD 和英特尔等公司的先进人工智能芯片已经依赖于 EUV 制造的 5nm 和 3nm 工艺节点,转向 2nm 全环绕栅极(GAA)晶体管将进一步增加对 EUV 能力的需求。
今天,只有五家半导体制造商在高产量生产中使用极紫外光刻(EUV)——台积电、三星、英特尔、SK 海力士和美光。日本的 Rapidus 现在成为该市场的第六个参与者。由丰田、索尼、三菱 UFJ 银行、NTT、电装、Kioxia、NEC 和软银组成的八人财团在日本北海道的 IIM-1 工厂安装了 ASML 的 NXE:3800E 极紫外(EUV)光刻机,计划于 2027 年开始大规模生产。 -
GPU加速计算光刻
计算需求增加的根源在于补偿光刻过程中因衍射或工艺效应而引入的图像误差,而随着芯片设计越来越密集,这一过程需要更长的时间。如果不进行校正,蚀刻在硅上的图案将无法精确再现设计师绘制的形状。边角可能会变圆,线宽可能会与预期不同。处理此问题的传统方法是使用光学邻近校正 (OPC),它可以调整边缘和多边形以优化蚀刻特征并

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