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原创 光波导：光子时代的基建工程

注：本文由天津见合八方光电科技有限公司挑选并翻译，旨在推广和分享相关半导体光放大器SOA基础知识，助力SOA技术的发展和应用。特此告知，本文系经过人工翻译而成，虽本公司尽最大努力保证翻译准确性，但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性，建议读者阅读原文或对照阅读，也欢迎指出错误，共同进步。

原创 【封装技术】先进PIC光子集成工艺

光子芯片集成封装是一种极具潜力的技术，它将光学元件集成到器件中，实现高速数据传输、宽带宽、低延迟和高能效，有望突破传统电子元件技术的局限。尤其是近年来，高性能半导体、量子计算和数据中心领域的快速发展，对高速数据处理与传输提出了更高要求。为满足这些需求，器件封装技术的发展聚焦于实现小型化、高效率和高性能，而光子集成芯片封装正是满足这些需求的理想方案。本文综述了光子集成芯片封装在元件级、芯片级和系统级的最新进展，重点分析了当前该技术面临的问题与挑战，并对未来发展趋势进行了展望。集成电路是支撑当前众多行业发展的关

原创 深圳光博会圆满收官！天津见合八方携两大硬核新品亮相

在这场全球光电子产业的风向标盛会上，天津见合八方光电科技有限公司作为国产SOA半导体光放大器的领先供应商，携两大重磅新品惊艳亮相，成为展会现场备受瞩目的焦点。见合八方此次展会收获的大量客户询盘和合作意向，充分证明了市场对国产SOA光芯片和器件的认可和期待。这款ASE谱宽达80nm的宽谱SOA，以其卓越的光谱性能和稳定的输出特性，成为硅光测试领域的理想选择。"这次展会我们不仅收获了订单，更收获了信心。展会期间，见合八方团队共接待了30余家潜在客户的深度洽谈，并与15家企业达成初步合作意向，现场收获远超预期。

原创 【封装技术】PIC光子集成封装-从样机到量产

晶圆厂提供的光子集成电路PIC的多项目晶圆（MPW）服务，使得研究人员和中小型企业（SMEs）能够低成本完成硅光子芯片的设计和制造。尽管这些硅光芯片可以在探针台上测试，但如果不将它们封装起来，就无法开发成样机，无法在实验室外进行测试。PIC的光子封装比电子封装更具挑战性，成本高出几个数量级，因为它需要可靠的um级光学对准、精确的温度控制，且通常需要高度的垂直和水平电学集成。光子封装或许是开发具有商业价值的集成光子器件过程中最显著的瓶颈。本文阐述了如何满足硅PIC封装的光、电和热要求，以及在实现规模化量产之前

原创 用于自由空间光通信的稳健型的高功率单模1550nm半导体光放大器

摘要1550 nm波长的瓦级半导体光放大器（SOA）在自由空间光通信（FSO）等多种应用中，是替代掺铒光纤放大器（EDFA）的理想选择。其具有更高的效率、更紧凑的结构和更低的成本，同时能提供高功率衍射极限输出。我们展示了一款单模光纤耦合封装的SOA，在1550 nm波长下可实现大于30 dBm（1.2 W）的连续波出纤功率[1]，总增益为16 dB，这得益于锥形半导体放大器在衍射极限输出方面的最新进展。文中给出了初步的通信测量结果，在输出功率大于1 W时实现了眼图张开，适用于10 Gbps差分相移键控（DP

原创 见合八方发布1310nm波段宽谱SOA产品

产品ASE光谱覆盖1250~1330nm，小信号增益达25dB，最大输出功率40mW以上，可应用于光通信、硅光测试、光纤传感等领域。天津见合八方光电科技有限公司(以下简称“见合八方”)发布O波段宽谱SOA产品；并携新品参加深圳光博会。

原创 微转印SOA和SA用于790nm脉冲产生

为此，我们展示了通过微转印技术实现的半导体光放大器与可饱和吸收体的异质集成。天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专注国产半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业，目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA产品(850nm,1310nm,1550nm)，公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。

原创 见合八方发布1310nm波段宽谱SOA产品

产品ASE光谱覆盖1250~1330nm，小信号增益达25dB，最大输出功率40mW以上，可应用于光通信、硅光测试、光纤传感等领域。天津见合八方光电科技有限公司(以下简称“见合八方”)发布O波段宽谱SOA产品；并携新品参加深圳光博会。

原创 【企业新闻】见合八方SOA自动测试系统上线

该系统具有扫码录入、自动测试、批次汇总报表、测试数据检查、数据自动备份、出厂测试报告自动生成等功能，大幅提升了我司SOA量产能力，缩短了测试时间，减少了人为测试误差，降低了管理成本，并有更全面的测试数据，便于后期故障排查定位。通过修改配置文件，该系统可支持多种蝶形器件，包括半导体光放大器SOA， SLD、以及窄线宽激光器等。支持LIV测试、光谱测试、增益谱测试、消光比测试、小信号增益及饱和光功率测试等。为了进一步提升我司SOA量产封装能力，我司自行研发了SOA自动化测试系统，于近日完成调试并上线运行。

原创 【SOA用于噪声抑制】利用饱和SOA抑制强度噪声

尽管非相干光源（如LED或基于光纤的ASE源）作为激光技术的经济替代方案，但其性能受到过量光子噪声的限制，这对于采用此类光源的应用而言，成为了关键的设计问题。因此，探索降低这种强度噪声、改善接收信号质量的技术具有重要意义。到目前为止，人们已经提出了多种噪声抑制方案。一种光电子技术利用两个平衡光电探测器和一个单位增益差分放大器（具有交流和直流耦合端口），从接收信号中减去强度波动。尽管这种方法能够改善信号质量，但噪声降低程度受电子电路带宽的限制；在相关实验中，抑制带宽被限制在约1MHz。该噪声抑制方法曾被研究用

原创 一种简易测试半导体激光器远场光斑的方法‌

作者：见合八方王伟、刘凡随着近些年光子集成技术的飞速发展，光芯片设计及耦合封装，均需要进行对半导体激光器、半导体光放大器和增益芯片等有源光芯片的光斑进行测量，远场光斑特性（如光斑尺寸、垂直和水平发散角）是评估器件性能的核心指标，通过对光斑特性的测量可以验证仿真结果、设计耦合方案、改进芯片波导设计、改进封装工艺。传统的测试方法往往依赖复杂的光学系统或昂贵的专用设备，操作繁琐且成本高昂，而光斑测试系统使用频次少，性价比低。本文给出一种基于积分球光功率计及三轴自动滑台的低成本简易测试方法。通过逐点扫描光场光强分布

原创 【SOA用于噪声抑制】光纤DFB激光器中弛豫振荡噪声抑制

然而，就其在传感和计量中的应用而言，光纤激光器的缺点是RO峰值出现在非常低的频率（即低于几兆赫兹），而激光二极管的RO频率在吉赫兹量级。然而，由于RO峰值的幅度和频率取决于激光器的泵浦功率，在SOA的整个噪声抑制带宽内表征RIN降低，以确定可实现的最小RIN是很有价值的。根据先前的分析 [27]，在较低的RO频率下，预计RIN降低幅度将大于30dB。然而，激光器噪声光谱中特有的弛豫振荡（RO）峰值，是由增益介质中粒子数反转与光子密度之间的耦合引起的 ，这会限制其在诸如传感和计量等低频应用中的灵敏度。

原创 SOA增益谱与ASE光谱的区别

综上所述，SOA的增益谱与ASE光谱在中心波长、谱宽和纹波等参数上存在明显差异，但两者具有一定的相关性。SOA的ASE是双向传输的，SOA芯片的输入侧和输出侧均有ASE，如果SOA的波导是对称的，材料均匀，电流密度是均匀的，则SOA输入和输出光谱应基本一致。与ASE光谱相比，SOA的增益谱通常具有更宽的谱宽，这是由于在高增益区域容易出现增益饱和现象，从而引发增益压缩效应，使得增益在谱线范围内趋于平坦。SOA的增益谱，是在有输入光条件下，对不同波长的增益特性绘制的“增益vs波长”的谱线。

原创 一文了解SOA的纹波

使用SOA时则可通过减小偏置电流方式来减小增益，但通常的应用中，我们需要较高的增益，因此在实际设计中，就只有一个方式就是尽可能减少端面反射率，通常需要<10-4。谐振波长的波动导致信号增益的变化。图2是我们对同一个SOA器件做的ASE谱和增益谱的对比测试（注：增益谱中的快速变化是测量误差），可以看到增益谱的纹波与ASE谱的纹波波形和周期一致，但。激光振荡条件为（GsR）2=1，其中Gs为单程增益，R代表端面反射率，为了避免激光振荡，应尽可能减少光反射回有源区域，如果反射率不够低，则在增益谱中会观察到纹波。

原创 【SOA用于噪声抑制】非相干光源的强度噪声

噪声PSD的实验和预测结果如图2.5所示，同时还给出了散粒噪声和探测器热噪声，散粒噪声Sshot使用公式（2.2）计算，负载电阻为50Ω，探测器底噪是没有光输入时探测器输出的噪声功率, 通过实验测量得到。自发辐射是当今大多数常见光源的基本过程，这类光源（包括自然光源和人造光源）发出的光，是大量受激原子或分子自发跃迁到较低能级时辐射的结果，发射出的光包或光子彼此独立产生，在很宽的光谱范围内随机出现。数值计算的更多细节在附录A中给出，需要注意的是，模型的输入光PSD可以是解析函数或实验测量的光谱数据。

原创 【SOA用于噪声抑制】利用饱和SOA抑制强度噪声

尽管非相干光源（如LED或基于光纤的ASE源）作为激光技术的经济替代方案，但其性能受到过量光子噪声的限制，这对于采用此类光源的应用而言，成为了关键的设计问题。因此，探索降低这种强度噪声、改善接收信号质量的技术具有重要意义。到目前为止，人们已经提出了多种噪声抑制方案。一种光电子技术利用两个平衡光电探测器和一个单位增益差分放大器（具有交流和直流耦合端口），从接收信号中减去强度波动。尽管这种方法能够改善信号质量，但噪声降低程度受电子电路带宽的限制；在相关实验中，抑制带宽被限制在约1MHz。该噪声抑制方法曾被研究用

原创 一种简易测试半导体激光器远场光斑的方法‌

天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专注国产半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业，目前已推出多款半导体光放大器SOA产品（850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm）以及增益芯片RSOA产品（850nm,1310nm,1550nm)，公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。上图左侧为采集的光场数据，通过软件拟合后，光斑被补充完整，并消除了测量误差。

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于精密测量的平面波导外腔激光器特性

放大至 320mW。如图 2 所示，热调谐有滞后现象，并可能导致调谐范围内的模式跳变，具体取决于PW-ECL经历的热历史，然而，由于模式之间的转换发生得很顺利，我们通常没有观察到稳定的双模激光或跳模。事实证明，PW-ECL的噪声低于我们测试的大多数其他类型的激光器。自由运行的频率噪声在低于和高于 1 Hz 时分别具有 ~1/f1.0 和 ~1/f0.6 依赖性，在~60 Hz 的控制带宽内，噪声被抑制了高达~1000倍，带宽受饱和误差信号的信噪比限制，至少几天内，我们没有观察到任何因不稳定行为而导致失锁。

原创 使用SOA对激光器实现噪声抑制

2013 年，中科院上海光机所的潘政清等人构建了双向工作的光纤放大器结构连接在单频光纤激光器后端，通过优化光纤放大器数，实现了最大抑制幅度为20 dB 的RIN 控制效果，其有效工作频段为1Hz~1kHz[3]。2016 年，华南理工大学通过优化SOA 的驱动电流以及进入SOA 激光的功率和偏振态，同时结合光电反馈技术抑制SOA 难以处理的低频段RIN，在0.8 kHz~50MHz 的宽频段内达到-150 dB/Hz 的水平，最大RIN 抑制幅度超过55 dB[6]。图2为实验装置，图3和图4为抑制效果。

原创 【企业新闻】见合八方发布250mW大功率窄线宽DFB保偏激光器

2.SOA还可以用于脉冲调制，与直接调制相比，SOA不会影响光谱特性，最高可实现ns级脉冲调制，经过优化后的关断消光比可>70dB。1.进入深度饱和的SOA可实现对该激光器的噪声抑制，能大幅抑制GHz以下低频噪声，对弛豫噪声最大可抑制30dB。保偏激光器，该激光器在1A驱动电流下可实现250mW保偏高功率输出，并具有100KHz线宽，该产品主要用于。，可与我司高功率SOA组合为MOPA激光器。近日，见合八方采用国产芯片封装完成1310nm和1550nm大功率窄线宽。

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于干涉光纤传感的低噪声平面波导外腔激光器2

激光器的线宽≤ 2.6kHz，相位/频率噪声与长腔光纤激光器相当，1kHz时的 RIN≤-147dB/Hz，功率≥10mW。70 kHz速率的解调是通过相位生成的载波激励，然后是真相位数字解调来完成的，该方法具有低自噪声，能够对市面上噪声最低的激光器进行激光相位/频率噪声测量。RIN失真是由于微振动引起的，而尖峰是由于60Hz交流泄露引起的（译者注：全球电网频率主要为50Hz和60Hz ,欧洲、非洲、澳大利亚、中国为50Hz，和美洲、日本等地区是60Hz），即使所有电流源都由电池供电，其谐波也会泄漏。

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于光纤传感的低噪声PLC外腔窄线宽激光器

与基于 FBG 的激光器（ECL 和光纤激光器）相比，PLANEX 腔坚固耐用且本质稳定，激光器的可靠性已通过 Telcordia 认证，集成模块设计用于在恶劣的环境条件和振动下运行。PLANEX 激光器结合了光纤/固态激光器的高性能以及半导体激光器的小尺寸高稳定性、高可靠性和成本效益的优点。成本效益高、外形小巧、环境稳定性和可靠性高，使其成为复杂声学/地震传感系统的最佳光源，包括用于石油和天然气海上和下井传感系统的多通道系统，以及其他动态传感，包括水听器、周界和管道入侵检测、基础设施结构健康监测。

原创 SOA在星载领域的应用及展望

天津见合八方于2025年5月19日在第九届空间光通信与组网技术大会发表了《SOA在星载领域的应用及展望》主题报告。

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于干涉光纤传感的低噪声平面波导外腔激光器

激光器的线宽可以做到<30 kHz，相位/频率噪声与长腔光纤激光器相当，适用于各种光纤传感系统，包括石油和天然气、军事/安全和其他应用中的干涉传感，与当前使用的激光源相比，其便宜且可靠性高。与基于 FBG 的光纤激光器和外腔激光器相比，平面波导ECL腔本质上是稳定的，其在固态 Si 衬底上制造了保偏波导，所有可能的振动灵敏度都与封装相关，并通过正确的将腔体子组件封装集成在14pin蝶形管壳内来实现，平面波导ECL在0-300Hz振动频率范围内的归一化振动灵敏度如图 5 所示。

原创 见合八方发布850nm波段系列产品

(以下简称“见合八方”)发布850nm波段系列产品；包括850nm SLD，850nm RSOA，同时，850nm SOA也在测试验证阶段，即将发布。增益芯片可用于窄线宽光源、可调光源等产品。天津见合八方光电科技有限公司。

原创 【平面波导外腔激光器专题系列】1064nm单纵模平面波导外腔激光器‌

在本文中，我们介绍了1064nm的PW-ECL的特性，我们正在将其开发为更大、更复杂的NPRO的替代品。在现有的碘稳定系统[16]中，我们用PW-ECL代替了NPRO，然后是双级镱光纤放大器，放大器的输出使用非线性晶体倍频，产生的532nm光用于探测碘的无多普勒吸收线，频率错误信号被反馈给注入电流。在10Hz以上，PW-ECL和NPRO的噪声分别下降了1/f1/2和1/f，因此，它们的差异在较高频率下变大，在10kHz时，PW-ECL产生的频率噪声大约是NPRO的100倍。(PW-ECL) 的特性。

原创 半导体光放大器SOA

在过去的 25 年里，光纤通信网络的部署和容量迅速增长。这种增长是新光电技术的发展带来的，这些技术充分利用了光纤的巨大带宽。如今，系统以超过100 Gb/s的比特率运行，光学技术已是全球信息的主要载体，它也是未来网络的核心。这些功能包括几乎无限的带宽，可以承载几乎任何类型的通信服务，以及允许终端容量升级和灵活通道路由的完全透明性。光放大器使光网络的发展成为可能。光放大器可分为两类：光纤放大器和半导体光放大器SOA。前者主导着传统的系统应用，例如在线放大以补偿光链路损耗。然而，由于光半导体制造技术和器件设计的

原创 见合八方：2025年SOA产品全景图，专业国产SOA供应商！

原创 SOA（半导体光放大器）在BOTDR（布里渊光时域反射计）系统中的应用

SOA凭借其高速调制、高增益、小型化和低成本等优势，在BOTDR系统中发挥了重要作用。通过脉冲调制和信号放大，SOA不仅提高了BOTDR系统的信噪比和检测精度，还延长了探测距离，解决了长距离传感中的关键问题。尽管SOA存在非线性效应和偏振敏感性等弱点，但其独特的技术优势使其成为BOTDR系统中不可或缺的关键组件。

原创 SOA半导体光放大器在光纤光栅解调系统中的应用分析

SOA凭借其体积小、成本低、增益高和宽波段覆盖等优势，在光纤光栅解调系统中发挥了重要作用。通过放大光信号，SOA不仅提高了系统的信噪比和解调精度，还扩展了信号的传输距离。尽管存在噪声和耦合损耗等弱点，但其独特的技术优势使其成为光纤光栅解调系统中不可或缺的关键组件。

原创 使用SOA进行光相位调制

然而，应该注意的是，这里介绍的调制器具有足够的带宽，因为微波传输链路所考虑的比特率通常低于500 Mbit/s。最后，应该注意的是，测量是在 -7 dBm 的光输入功率、70 mA 的偏置电流对应 10dB的光纤到光纤增益下进行的，因此光输出功率为 3 dBm。预测的强度变化如图4 所示，其是反相调制指数的函数，即输入部分的调制电流与输出部分的调制电流之比。如图 2 所示，幅度调制引入的强度变化非常大，对于 QPSK 调制，预计变化高达5dB，这在实际系统中是不能容忍的。

原创 在硅氮化物光子平台中使用可调谐窄线宽端面耦合混合激光器实现光束操控

摘要基于量子点RSOAs的1.3 µm芯片级可调谐窄线宽混合集成二极管激光器通过端面耦合到硅氮化物光子集成电路得以实现。混合激光器的线宽约为85 kHz，调谐范围约为47 nm。随后，通过将可调谐二极管激光器与波导表面光栅结合，展示了一个完全集成的光束操控器。该系统通过调谐混合激光器的波长，可以在一个方向上实现4.1˚的光束操控。此外，还展示了一个在~1 µm、1.3 µm和1.55 µm波段工作的波长可调谐三波段混合集成激光器系统，用于单芯片中宽角度的光束操控。1. 引言激光雷达（LiDAR）系统是自动驾

原创 通过启发式参数提取校准半导体光放大器的 TLM 模型

此外，一些再生器还在马赫-泽恩德（Mach-Zehnder）[11] 或萨格纳克（Sagnac）[12] 干涉仪的设置中使用SOA 处理光信号，能够处理 DPSK（差分相移键控）[13] 和 QPSK（正交相移键控）[14] 等相位编码信号。通过大量仿真优化了半导体光放大器模型的系统行为，在光增益与偏置电流、不同光输入功率（-25 至 0 dBm）以及不同 I 偏置（0 至 180 mA）下的增益饱和曲线方面，达到了与商用器件实验结果的合理近似。参数 OCE，顾名思义，表示从光纤耦合到放大器的光功率部分。

原创 见合八方发布1270nm XG(S)-PON半导体光放大SOA芯片

天津见合八方光电科技有限公司隆重推出一款XG(S) PON/ Combo PON的上行1270nm的半导体光放大SOA芯片。在XG(S) PON/Combo PON放大测试中，针对XGS PON上行链路：如放置在OLT的接收侧，可提高3dB以上链路预算；本款新发布的半导体光放大器SOA在现有1310nm的SOA基础上进行优化，噪声系数（NF）典型值7dB，偏振相关增益（PDG）在0.3dB左右，纹波（Ripple）典型值0.2dB。图1 见合八方1270nm半导体光放大SOA芯片。

原创 TW-SOA中的ASE：建模和实验

我们提出了一个行波半导体光放大器 （TW-SOA） 中放大自发辐射 （ASE） 的模型。所提出的模型考虑了整个 ASE 频谱的传播，还考虑了信号和 ASE 引起的饱和效应。使用拟合到测量值的参数，该模型可以准确地在真实器件上测试重现。该模型可以仿真线性和饱和状态下 SOA 的 ASE 谱。当 SOA 饱和时，该模型还用于仿真 ASE 光谱在两个端面上的不同形状，结果非常接近测量值。

原创 封装式高功率窄线宽片状耦合光波导外腔激光器（SCOWECL）

SCOWECL腔体（图1(a)）由一个1 cm长的双通道弯曲片状耦合光波导放大器（SCOWA）、一个带抗反射涂层的透镜光纤、一个光纤布拉格光栅（FBG）（λc=1550 nm，Δλ=20 pm，R=20%）以及一个带光纤尾纤的60 dB光学隔离器组成。其中，υa是有源区域的群速度，Гxy是横截面约束因子，gth是阈值增益，Np是腔内光子密度，Vp是光子腔体体积，nsp是布居反转因子，αH是线宽增强因子，nu(np)是有源（无源）区域的群折射率，La(Lp)是有源（无源）区域的长度。

原创 单频可调半导体激光器

可以看出，在晶体温度T=25℃和泵浦电流Ip=80 mA下，该激光器的发射波长为λ=1063.35 nm，与短周期光栅的反射波长（图4a）很好地吻合。因此，我们证明了使用带外腔的半导体激光器的放大特性，可以实现稳定的单频激光发射，同时通过改变LD有源区的注入电流和/或温度，可以进行离散和连续波长调谐。当某个光栅的反射峰值处的反馈水平最高时，即在特定温度和电流下，该光栅的共振波长与激光晶体腔体本身发射的线吻合，激光发射发生。通过改变包含光栅的光纤段的折射率，可以实现更宽光谱范围内的波长调谐。

原创 二极管泵浦高能激光研究进展和展望（三）

4高功率绿光激光器相比于常见高功率块状固体激光和光纤激光 1μm 附近激光波长，相同光束质量的绿光激光在理想情况下到靶功率密度是近红外激光的 4 倍左右，且金属材料对绿光激光的吸收率是波长为 1 μm 附近的近红外激光的数倍，在金属结构目标上将产生更显著的力-热效应。目前高功率绿光激光器一般是利用了 LD 泵浦激光增益介质产生 1 μm附近的近红外激光结合非线性晶体倍频过程获得的。其中倍频方式一般采用内腔倍频、腔外单通倍频、外腔谐振倍频三种方式。4.1内腔倍频内腔倍频是将倍频晶体放置在基频光激光器的谐振腔内

原创 大功率半导体激光器阵列的封装技术

摘 要半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域，成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用，着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术——热沉材料的选择及其结构优化、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术、与光纤的耦合技术等。1 引言大功率半导体激光器具有一系列优点，如高电光转化效率；可通过选用不同的有源区材料或改变多元化合物半导体的组分得到所需的激射波长，覆盖的波段范围宽广；寿命长；具有直接调制能力；而且体积小、重量轻、价格便宜。在科学、远程传感和光

原创 二极管泵浦高能激光研究进展和展望（二）

2高平均功率光纤激光2.1高功率宽谱光纤激光器高功率光纤激光器采用双包层的大模场掺镱光纤作为增益介质，具有亮度高、效率高、结构紧凑等优点。同时光纤本身表面体积比大，散热性能优，极大地改善激光器的稳定性和降低散热系统的复杂性，十分适合于先进制造、能源勘探、国家安全等领域的应用。自 2004年，英国南安普顿大学首次报道了 1.36 kW 的单模连续激光的输出[25]。美国 IPG 公司先后于在 2009 年和 2013 年报道了单光纤单模 9.6 kW 和 20 kW 的光纤激光输出[26-27]。国内单高功率