[2025-2-25]光刻机、芯片、人工智能、机器人领域国内外学界进展

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 [2025-2-24]光刻机、芯片、人工智能、机器人领域国内外学界进展

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一、光刻机/半导体领域
二、芯片领域
三、人工智能领域
四、机器人领域

一、光刻机/半导体领域

英特尔表示，新的 ASML 机器已投入生产
英特尔（INTC.O）周一表示，来自 ASML Holding（ASML.AS）的前两款尖端光刻机已在工厂“投产”，初步数据显示它们比早期型号更可靠。在加利福尼亚州圣何塞的一次会议上，英特尔高级首席工程师史蒂夫·卡森表示，英特尔在单个季度内使用 ASML 的高数值孔径（NA）光刻机生产了 3 万个晶圆，这些大型的硅片可以制造出数千个计算芯片。据分析，良率在20%~30%
来源：[Intel says new ASML machines are in production, with positive results]
重新思考 2nm 节点多图案化
- 2nm 节点光刻技术现状：根据《2022 版国际器件与系统路线图》，2025 年的 “2nm” 节点金属最小半间距为 10nm，小于当前 EUV 系统分辨率。即便下一代高数值孔径（NA）的 EUV 系统，在成像 20nm 线间距时，随机行为也难以控制。因此，2nm 节点即便采用 EUV 光刻，双图案化也不可避免，且双图案化中的线宽难以通过直接曝光确定，需借助自对准双图案化（SADP）技术。
- SADP 技术及应用：SADP 通过在芯轴上沉积间隔层、回蚀保留侧壁、去除芯轴来加倍特征密度。台积电在 2021 年美国专利申请中暗示了 LELE - SADP 方法，LELE（光刻 - 蚀刻 - 光刻 - 蚀刻）用于形成两个单独的芯轴图案，作为 SADP 的基础图案。不过，部分核心图案线宽过小无法直接印刷，需要从较大曝光线宽进行修整，但并非所有情况都适用修整方法。
- EUV 与 DUV 光刻技术对比：在 20nm 间距下，EUV 和 DUV 光刻都是可行选择，二者在实现特征尺寸和分辨率上效果相近，且对光刻性能和效率影响无显著差异。DUV 光刻以 480nm 起始曝光间距，也能达到 10nm 最小半间距尺寸，相比 EUV 可大幅降低成本。
- 2nm 及更先进节点光刻技术展望：2nm 及更先进节点采用背面供电技术，将宽轨和窄轨分别置于晶体管上下不同层，有助于简化多重图案化流程。在 16 - 18nm 间距时，EUV 将采用自对准四重图案化（SAQP），DUV 将采用自对准六重图案化（SASP），二者都只需一次掩模曝光，相比 LELE - SADP 的两次掩模曝光有所改进，SASP 能将 ArF 浸没式光刻分辨率从 38nm 半间距提升至 6.3nm 半间距。
来源：Rethinking Multipatterning for 2nm Node

二、芯片领域

美光宣布 1γ（1-伽马）DRAM 发货：为未