忆阻器仿生器件与神经网络计算
1. 忆阻仿生神经元
1.1 生物似然忆阻神经元
- IF 神经元 :2016 年,Tuma 等人成功在混合电路中开发出积分发放(IF)神经元。该电路由相变(Ge₂Sb₂Te₅,简称 GST)器件和包含比较器的辅助电路组成。相变器件用于表示膜电位,利用 GST 中熔体淬火引起的非晶相重配置的物理特性,实现具有固有随机动力学的积分功能。当局部梯度电位(LGP)达到比较器设定的阈值时,触发尖峰发生器实现发放功能。不过,由于 GST 中电阻切换的非易失性,这种随机神经元缺少漏电功能。
- LIF 神经元
- 含比较器的 LIF 神经元 :2018 年,Yang 等人设计了漏电积分发放(LIF)神经元。采用理想的易失性忆阻器件(忆阻器 2)来表示具有短期动态的膜电位,从而实现漏电功能。忆阻器 1 呈现出具有或不具有遗忘效应的非易失性电阻切换行为,用于表示接收输入尖峰的突触。输入信号通过相对突触强度进行缩放,然后通过加法器 OP1 在时间和空间上进行积分得到 Vadd,这是神经元的积分功能。Vadd 施加在忆阻器 2 上,导致忆阻器 2 的电阻减小,从而使 RC 分压(Vout)升高。当 Vout 大于比较器 OP2 的参考值 VR 时,产生尖峰,实现发放功能;若 Vout 低于 VR,由于忆阻器 2 的易失性,Vout 会逐渐泄漏,这就是该神经元的漏电功能。需要注意的是,忆阻器 2 的电阻切换过程是模拟的,没有明显的阈值,因此需要比较器来实现阈值尖峰过程,并且尖峰的产生借助脉冲发生器(P),这使得这种神经
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