以FAN7888驱动器的芯片手册中的示意图为例:MOS管导通的条件是G极与S极有压差,下管MOS管要保证有压差的话,直接用驱动芯片的12V供电来提供供电,S极接GND,就很容易保证供电,但是MOS管上管的S级接的是下管的D极,当上管导通的时候,上管S极接的是电源供电,也就是24V,这时上管S极需要有36V才可以,但是驱动芯片的供电是12V,这时就需要电容C1,当驱动器发送互补PWM时,下管MOS管打开时,电容通过供电电源,经二极管进行充电,当下管关闭,上管导通时,供电电压由电容C1提供,这时输出通道HO1就可以正常输出使MOS管导通,因此互补PWM不能发100%占空比,如果发100%占空比,电容C1就充不了电,就无法驱动MOS管上管。根据这个原理,在之后的驱动器测试中,要测试驱动能发出的最大PWM,就可以通过测试VB与VS的压差来确定,正常应该能充电达到11~12V,芯片手册上写的是最少8V,但是需要留有余量,当充电压差到10V时,基本就是驱动器的极限了。测试了其他厂家生产的驱动器的最大PWM,从上管关闭到下一个周期上管打开的时间差是100ns,频率是15K,可以说占空比是非常极限了,我自己尝试99%占空比,同样的频率,这个时间差是1us,也就是说,还有非常大的提升空间。如果还需要更加详细的专业描述,请自行百度“自举电路”。

本文介绍使用FAN7888驱动器驱动MOS管的原理,特别是如何利用电容C1实现上管MOS的有效导通。探讨了互补PWM信号在驱动过程中的作用,并分析了不同占空比条件下电容充电的影响。
1万+

被折叠的 条评论
为什么被折叠?



