H桥自举升压驱动电路占空比不能100%

H桥驱动中的自举升压电路无法实现100%占空比，原因如下：

1. 自举升压电路原理

自举升压电路通过电容储存电荷，为高侧MOSFET提供驱动电压。其工作过程包括：

低侧导通：低侧MOSFET导通时，自举电容充电。

高侧导通：高侧MOSFET导通时，电容放电提供驱动电压。

2. 占空比限制

电容充电时间：自举电容需要在低侧导通时充电，若占空比为100%，高侧MOSFET持续导通，电容无法充电。

电荷耗尽：高侧MOSFET长时间导通会导致电容电荷耗尽，无法维持驱动电压，使其关断或损坏。

3. 具体原因

充电周期：自举电容必须在每个周期内充电，100%占空比无充电时间。

电压维持：电容电荷有限，长时间导通会导致电压下降，影响驱动。

4. 解决方案

限制占空比：通常占空比限制在95%以下，确保电容有足够充电时间。

增加充电电路：使用独立电源或电荷泵为高侧MOSFET供电，避免依赖自举电容。

优化电容选择：选择较大容值的自举电容，延长电压维持时间。

5. 设计实例

PWM控制：设置PWM占空比上限（如95%），确保电容充电时间。

电荷泵电路：在需要高占空比时，使用电荷泵为高侧MOSFET供电。

6. 测试与验证

示波器测试：观察自举电容电压波形，确保充电充分。

功能测试：验证H桥在不同占空比下的工作状态，确保系统稳定。

总结

自举升压电路无法实现100%占空比，因为电容需要周期性充电。通过限制占空比、增加充电电路或优化电容选择，可以确保系统稳定运行。