本文详细介绍了在半导体工艺中如何使用DoingDefine进行掺杂分布的定义，包括均匀、高斯、误差函数等分布类型，以及n型和p型掺杂剂的选择。通过具体示例展示了如何设置掺杂浓度、位置及峰值等参数。
Doing Define
doping <distribution type> <dopant type> <concentration> <position>
Distribution：uniform, gaussian, erfc（error function），
Dopant type：n.type,p.type
Position：region,x.min,x.max,y.min,y.max,peak,junction…
Eg：
p type doping
doping p.type conc=1e19 x.min=0 x.max=3 junc=1 rat=0.6 gauss
Note： The latter doping can be added into the Previous doping
扫一扫
4637
到【灌水乐园】发言
