silvaco学习日记（七）--对之前一些问题的解决以及一些新的问题

最新推荐文章于 2024-09-28 00:01:10 发布

根正苗红好青年

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分类专栏：半导体器件仿真 silvaco

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/weixin_43262021/article/details/109763595

这篇博客记录了作者在使用Silvaco进行4H-SiC IGBT仿真时遇到的问题及部分解决方案。主要问题包括内存分配不足、仿真结果与文献不符、阈值电压计算问题以及不同物理模型对结果的影响。作者尝试通过缩小器件尺寸减轻计算量，但依然未能解决阈值电压仿真问题。此外，界面陷阱密度的改变并未如预期影响电流，可能与表面载流子迁移率和浓度有关。作者计划进一步研究物理模型的作用和IGBT的界面陷阱电荷效应。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

在之前的博客中，我写出了最近仿真中的一些问题：
①内存分布不足问题；
②仿真所得曲线与文献中的曲线不符合问题；
③只有将栅极的长度加长才可以得到比较理想的曲线。
目前解决的问题只有①
以下的仿真是基于文献“On the Assessment of Temperature Dependence of 10 - 20 kV 4H-SiC
IGBTs Using TCAD ”
仿真结构以及相关浓度图如下：
在这里插入图片描述

结构仿真的代码如下：

go atlas simflag="-p 4"
mesh width=1
x.mesh loc=0 spac=0.2
x.mesh loc=3 spac=0.1
x.mesh loc=9 spac=0.1
x.mesh loc=13 spac=0.1
x.mesh loc=15 spac=0.1
x.mesh loc=16 spac=0.1
x.mesh loc=28 spac=0.1
x.mesh loc=29 spac=0.1
x.mesh loc=31 spac=0.2
x.mesh loc=35 spac=0.1
x.mesh loc=41 spac=0.2
x.mesh loc=44 spac=0.2

y.mesh loc=-0.1 spac=0.1
y.mesh loc=-0.05 spac=0.1
y.mesh loc=0 spac=0.1
y.mesh loc=0.25 spac=0.1
y.mesh loc=0.5 spac=0.1
y.mesh loc=180 spac=4
y.mesh loc=180.3 spac=0.1
y.mesh loc=185.3 spac=0.1
y.mesh loc=185.4 spac=0.1

region number=1 x.min=0 x.max=44 y.min=0 y.max=185.3 material=sic-4H
region number=2 x.min=0 x.max=9 y.min=-0.1 y.max=0 material=nickel
region number=3 x.min=9 x.max=13 y.min=-0.1 y.max=0 material=si3n4
region number=4 x.min=13 x.max=31 y.min=-0.1 y.max=0 material=sio2
region number=5 x.min=13 x.max=31 y.min=-0.1 y.max=-0.05 material=nickel
region number=6 x.min=31 x.max=35 y.min=-