AET3152AP P沟道高级模式MOSFET中文资料,禾纳AET3152AP芯片

AET3152AP是一款高性能MOSFET,具有VDS=-30V和ID=-40A的特性,典型导通电阻为11mΩ(VGS=-10V,ID=-10A)和15mΩ(VGS=-4.5V,ID=-5A)。该器件支持快速切换,具备低电阻特性,且不含卤素和锑,符合Rohs标准。其工作温度范围为-55℃至125℃,采用PDFN3030封装。AET3152AP广泛应用于交换机切换以及便携式/台式机中的电源管理,提供高效可靠的性能。

-30VDS/±25VGS P-通道EpicMOSTM

特色

VDS=-30V,ID=-28A

RDS (ON)=13.5mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-6A

RDS (ON)=18mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A

可靠且坚固耐用

雪崩额定

低电阻

增强模式

不含卤素和锑,符合Rohs标准

应用

负载开关

便携式/台式机PC的电源管理

直流/直流转换

绝对最大额定值(TC=25℃

动态特性

 

 

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