禾纳推出的AET3156AP是一款增强型p沟道MOSFET,具有VDS=-30V和ID=-10A的特性,典型导通电阻为15mΩ(VGS=-10V,ID=-10A)和19mΩ(VGS=-4.5V,ID=-5A)。该器件支持快速切换,具备低电阻特性,且不含卤素和锑,符合Rohs标准
ATE3156AP特性
VDS=-30V,ID=-10A
RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-5A
RDS (ON)=19mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A
可靠且坚固耐用
雪崩额定
低电阻
工作温度范围为-55℃至125℃
采用PDFN3030和SOP8封装
ATE3156AP应用
电源管理:便携设备、台式机电源系统
开关电路:高频率开关电源、DC-DC转换器
电机驱动:低压大电流负载控制