禾纳AET3156AP数据手册,增强型p沟道MOSFET芯片,替代AO4805方案

禾纳推出的AET3156AP是一款增强型p沟道MOSFET,具有VDS=-30V和ID=-10A的特性,典型导通电阻为15mΩ(VGS=-10V,ID=-10A)和19mΩ(VGS=-4.5V,ID=-5A)。该器件支持快速切换,具备低电阻特性,且不含卤素和锑,符合Rohs标准

ATE3156AP特性
VDS=-30V,ID=-10A
RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-5A
RDS (ON)=19mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A
可靠且坚固耐用
雪崩额定
低电阻

工作温度范围为-55℃至125℃
采用PDFN3030和SOP8封装

ATE3156AP应用

电源管理:便携设备、台式机电源系统

开关电路:高频率开关电源、DC-DC转换器

电机驱动:低压大电流负载控制

 

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