- 博客(92)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 硬件学习笔记--93 静电防护方案（电阻、磁珠、电感、TVS等）
面对ESD这种，不同元件的响应机制决定了它们防护能力的本质差异。：在通信端口防护中，是可靠配角，是优秀的前置消耗元件，而因易产生二次高压，通常应避免使用。
2025-12-22 14:36:35
671
原创 硬件学习笔记--92 关于UWB的介绍
总的来说，UWB并非旨在取代蓝牙或Wi-Fi，而是在需要精准空间感知和安全短距交互的场景中，提供了不可替代的解决方案。随着技术成熟和生态完善，它正从一项前沿技术转变为构建未来智能世界（智能汽车、智能工厂、智能家居）的关键基础设施。
2025-12-10 08:24:12
758
原创 硬件学习笔记--91 TMR型互感器介绍
外部电流产生的磁场会改变自由层的磁化方向，从而引起TMR元件电阻的剧烈变化。这个补偿电流产生的磁场。：由TMR传感芯片、聚磁环（高磁导率材料，用于汇聚和引导被测电流产生的磁场）、信号调理电路（ASIC）组成。最终的输出就是补偿电流的测量值，它与被测电流严格成比例。：光伏逆变器、储能系统（BMS电流检测）、充电桩、微电网中的高精度直流/交流电流监控。：新能源汽车的OBC（车载充电机）、DC-DC转换器、主驱动电机控制器中的电流传感。：伺服电机驱动、变频器、机器人、高精度电源（如电镀电源）的电流反馈与控制。
2025-12-09 18:18:58
882
原创 硬件学习笔记--90 同步通信、异步通信、串行通信、并行通信介绍
特性异步通信同步通信时钟信号无，双方依赖各自的本地时钟有，共享时钟信号数据格式以帧为单位，含起始/停止位以数据流或数据包为单位连线简单（主要是数据线）较复杂（数据线 + 时钟线）速度低速至中速高速效率较低（有固定开销）高（无额外开销）成本低较高精度要求双方波特率需严格匹配时钟同步，无累积误差典型协议特性串行通信并行通信数据位传输一位接一位，在单条信道传输多位同时，在多条信道传输线路数量少多理论速度单信道速率有限在低频率下，总带宽高长距离适应性好，抗干扰强，成本低差。
2025-11-12 11:23:13
1096
原创 硬件学习笔记--89 MCU主频对Uart波特率影响及采样点
UART通信的双方需要约定一个相同的波特率，即每秒传输的比特数。在单片机/嵌入式系统中，这个波特率通常是由一个定时器（通常是波特率发生器）对系统时钟进行分频而产生的。在通信和时钟系统中，分频误差（Baud Rate Error，BR Error） 是指由于分频器（Divider）的设置限制，导致实际生成的波特率与目标波特率之间的偏差。这种误差在异步串行通信（如UART）或时钟同步中尤为重要，可能直接影响通信的稳定性。2. MCU URAT串口的实际波特率。
2025-11-12 09:24:49
442
原创 硬件学习笔记--88 LNA（低噪声放大器）介绍
低噪声放大器是射频接收机的“守门员”，其性能至关重要。设计一个优秀的LNA需要深入理解噪声机理、阻抗匹配理论和晶体管的高频特性，并在相互矛盾的设计要求中做出精妙的权衡。它既是科学，也是一门艺术。
2025-10-29 08:10:56
802
原创 硬件学习笔记--87 如何做PCB的阻抗匹配
参考平面是第一要务：没有完整、连续的参考地平面，一切阻抗控制都是空谈。叠层是基础：在项目初期就规划好叠层，并与PCB厂家确认。短线规则：当传输线长度小于信号上升/下降时间对应电气长度的1/6时（即），反射的影响可以忽略，此时可以不做严格的端接。但随着信号速率越来越高，这个情况越来越少。仿真验证：对于关键信号（如时钟、DDR、PCIe、USB等），必须使用SI（信号完整性）仿真工具（如HyperLynx, ADS）进行前仿真和后仿真，以验证匹配方案和PCB设计的正确性。端接电阻的位置：端接电阻必须尽可能靠近。
2025-10-28 08:10:48
927
原创 硬件学习笔记--86 MCU选型需要考虑那些方面
根据项目任务复杂度（如算法计算量、实时性要求）确定所需的CPU性能。考虑主频、指令集架构（如ARM Cortex-M系列（Cortex-M0/M0+/M3/M4/M7/M33）、RISC-V、AVR等）、是否支持DSP指令或浮点运算单元（FPU）。估算应用程序代码大小（Flash）和运行时内存（RAM）需求，并预留一定余量（通常20%-30%）以备后续更新。考虑是否支持外部存储器扩展（如SDRAM、QSPI Flash）。
2025-10-23 08:07:47
983
原创 硬件学习笔记--85 电解电容低温下的参数变化介绍
参数变化趋势（低温下）主要原因对电路的主要影响电容量下降电解液极化困难，表观容量降低滤波效果变差，可能影响环路稳定性等效串联电阻急剧增大电解液电导率下降纹波电压增大，自身发热严重，效率降低损耗角正切增大由公式 tanδ∝C×ESRtanδ∝C×ESR 决定能量损耗增加，温升加剧漏电流减小电化学反应速率减慢通常是有利影响，非主要矛盾。
2025-10-21 08:23:53
1026
原创 硬件学习笔记 --84 电感的磁滞损耗介绍
本质：磁滞损耗是铁磁材料中磁畴在交变磁场下不可逆翻转所消耗的能量，最终转化为热。直观体现磁滞回线的面积代表了单位体积磁芯在一个周期内的能量损耗。影响因素：主要与工作频率 ff磁通密度峰值 BmBm和材料特性（决定指数 n 和矫顽力 Hc）有关。降低方法：核心是选用矫顽力小、磁滞回线窄的软磁材料（如硅钢、铁氧体），并合理设计工作点。理解磁滞损耗对于任何涉及电磁能量转换的设备（变压器、电机、电感器等）的设计和效率优化都至关重要。
2025-10-17 08:14:35
1173
原创 硬件学习笔记 --83 罗姆的G3电力线载波通信方案介绍
总的来说，罗姆的G3方案通过采用OFDM、引入强大的纠错机制以及支持IPv6和网状网络，在数据传输速率、抗干扰能力和网络扩展性方面相比传统方案有了质的飞跃，更能满足现代智能电网对实时、可靠通信的需求。
2025-10-16 14:41:33
347
原创 硬件学习笔记--82 连接器的选用原则与流程
明确需求：列出所有电气、机械、环境参数。初步筛选：根据核心参数（如电流、电压、引脚数、间距）在供应商官网或目录中筛选。深入评估：对比候选型号的详细规格书，重点关注可靠性数据（寿命、耐环境性）。样品测试：对最终选定的几个型号进行实际测试，包括电气性能、机械配合、温升、振动等。供应链确认：确认价格、交期和长期供货能力。最终决策：综合性能、可靠性和成本，做出最终选择。
2025-10-16 08:05:21
1064
原创 硬件学习笔记--81 AD PCB 3D显示相关操作快捷键
09VB32ShiftV +F PCB适应整体窗口大小0：无论你的3D视图被旋转到多么复杂的状态，按下 0键总是能一键恢复到初始的正视角度，这是最直接有效的办法。：在使用 VB这样的组合键时，需要先按下V，然后在不松开的情况下再按下B。：如果你想手动慢慢调整回正视图，可以尝试按住 Shift并拖动来调整视角，但这通常不如按0键快捷精准。
2025-10-09 16:48:09
998
原创 硬件学习笔记--80 eMMC、UFS、SSD简介
一个包含多颗 NAND 闪存芯片、一个独立且更强大的主控制器、DRAM 缓存（通常）以及特定接口（如 SATA、PCIe）的完整存储设备。例如，你可以在后台下载文件（写）的同时，毫无卡顿地前台玩游戏（读）。串行接口像一条高速管道，数据排成一队依次通过，速度可以做得非常高，是现代高速传输的主流。它有标准化的外形（如 M.2 2280, 2.5英寸），用户可以自行购买和更换，升级方便。：当你在安装应用或保存文件时（写操作），系统同时读取数据的请求就会被阻塞，导致卡顿感。要么全部读，要么全部写，不能同时进行。
2025-09-30 15:56:08
604
原创 硬件学习笔记--79 EEPROM中的IIC通信介绍
1. 核心结构：开漏输出与上拉电阻开漏输出： MCU和EEPROM的I²C引脚（SDA, SCL）都是开漏模式。这意味着它们只能主动拉低信号线到GND（输出0），而无法主动输出高电平（输出1）。上拉电阻： 必须在SDA和SCL线上各连接一个上拉电阻（典型值4.7kΩ）到VCC。当所有设备都释放总线时，电阻将电平拉高至VCC（逻辑1）。2. 硬件工作逻辑输出0： 内部MOSFET导通，将总线强力拉低。输出1/释放： 内部MOSFET关闭，释放总线，由上拉电阻将其拉高。“线与”逻辑。
2025-09-30 08:24:12
588
原创 硬件学习笔记--78 MCU复位电路简介
复位电路类型优点缺点适用场景RC复位成本极低，结构简单可靠性低，抗干扰差，温度特性差低成本、环境简单、对可靠性要求不高的消费类产品专用复位IC高可靠性，高精度，抗干扰强，功能丰富成本较高工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备等所有高可靠性系统内置复位节省空间和BOM成本性能可能不如专用IC对成本敏感且环境不太恶劣的通用嵌入式系统复位电路虽然看似简单，但它是数字系统稳定运行的“第一道保险”。一个可靠的设计是产品成功的基础。
2025-09-29 07:52:14
845
原创 硬件学习笔记--77 扬声器相关基础知识介绍
扬声器是一种将转换为的换能器。其核心工作原理是。来自功放的交流音频电信号流入扬声器的。根据，电流通过音圈时，会产生一个随音频信号变化的交变磁场。音圈产生的交变磁场与扬声器提供的恒定磁场发生相互作用（吸引和排斥）。根据，这种磁场相互作用会产生力，推动音圈做前后往复运动。音圈与（锥盆）相连，从而带动振膜一起振动。振膜的振动推动周围的空气分子，形成疏密相间的声波，从而被人耳听到。
2025-08-22 08:20:24
990
原创 硬件学习笔记--76 开关电源隔离型拓扑结构介绍
每种拓扑的磁元件设计（如变压器气隙、谐振参数）和开关管选型（如MOSFET/IGBT）需结合具体需求优化。：利用谐振电感（Lr）、变压器励磁电感（Lm）和电容（Cr）实现ZVS/ZCS。中功率电源（100W~500W）：工业电源、通信设备、PC电源辅助输出。中大功率AC-DC电源（200W~1kW）：服务器电源、焊接设备。变压器需设计气隙（防磁饱和），漏感导致效率较低（通常<85%）。小功率电源（<100W）：手机充电器、LED驱动、家电辅助电源。高效电源：高端PC电源、电视电源、新能源充电桩。
2025-08-11 07:59:51
1058
原创 硬件学习笔记--75 DCDC不同工作模式介绍
DCDC（直流-直流变换器）的工作模式主要根据其开关管的控制方式、电流连续性以及应用场景进行分类。
2025-08-08 08:40:29
948
原创 硬件学习笔记--74 电泳与电镀的对比介绍
电泳（电泳沉积，Electrophoretic Deposition, EPD）和电镀（Electroplating）是两种完全不同的表面处理技术，尽管名称相似且都涉及电场作用，但它们在原理、材料、应用等方面存在显著差异。：电泳侧重防腐、绝缘或功能性涂层；电镀侧重导电、装饰或耐磨。：电泳可沉积绝缘或功能材料，电镀仅沉积金属。：电泳涂层较厚且均匀，电镀层薄但精度高。→ 选电镀（如电路板镀铜、首饰镀金）。→ 选电泳（如汽车漆、陶瓷涂层）。
2025-08-07 08:44:26
957
原创 硬件学习笔记--73 电能表新旧精度等级对应关系
采用字母分级（A、B、C、D），中国新标准与之对齐，便于国际贸易和技术交流。：旧标准中数字（如1.0、2.0）易与电压、电流参数混淆，字母表示更清晰。）采用数字（0.2S、0.5S、1.0、2.0）表示精度等级。）改用字母（A、B、C、D）表示，但误差范围不变。内仍能保持高精度，适用于负载波动大的场合。：IEC（国际电工委员会）标准（如。：超高精度，用于跨区域电量结算。：结算更精准，减少计量纠纷。：宽电流范围，高精度计量。：成本低，满足日常需求。（如0.5S）表示在。
2025-07-29 19:20:13
2144
原创 硬件学习笔记--72 电能表用技术规范要求及检定规程
（2）GB/T 17215.321 电测量设备（交流）特殊要求 第21部分：静止式有功电能表（A级、B级、C级、D级和E级）（1）GB/T 17215.211 电测量设备（交流）通用要求、试验和试验条件 第11部分：测量设备。（11）JJF1779—2019 电子式直流电能表型式评价大纲。
2025-07-09 08:42:16
437
原创 硬件学习笔记--71 MLCC漏电流值介绍
层陶瓷电容（MLCC）的漏电流值通常取决于其介质类型、容量、额定电压、温度等因素。若实测漏电流远超计算值（I_leak = V/IR），可能电容已损坏。：高温下漏电流显著增加（如85℃时可能比25℃高10~100倍）。：大容量MLCC的漏电流通常更大（因介质层更薄或电极面积更大）。：漏电流随施加电压增加而非线性上升（通常遵循指数关系）。要求漏电流在高温（如125℃）下仍保持稳定。：需选择C0G类，漏电流<1nA。（@额定电压，25℃）。（@额定电压，25℃）。（@额定电压，25℃）。
2025-07-08 14:35:29
931
原创 硬件学习笔记--70 电解电容漏电流值
一个100μF/25V的电容，漏电流约为 0.01×100×25=25μA0.01×100×25=25μA 至 0.03×100×25=75μA0.03×100×25=75μA。：多数厂商的规格书会标注更精确的公式或最大值（如 Ileak≤0.02CV+20μAIleak≤0.02CV+20μA）。：47μF/16V的钽电容，漏电流可能小于 0.01×47×16≈7.5μA0.01×47×16≈7.5μA。：高温下漏电流显著增加（每升高10°C，漏电流可能翻倍）。是标称容量（μF），
2025-07-08 08:38:01
1260
原创 硬件学习笔记--69 单晶体三极管放大电路（共射、共集、共基）基础知识
特性共发射极 (CE)共集电极 (CC) / 射随器共基极 (CB)输入端子基极 (B)基极 (B)发射极 (E)输出端子集电极 (C)发射极 (E)集电极 (C)公共端/接地端发射极 (E)集电极 (C)基极 (B)电压增益 (Av)高(几十到几百)≈1(略小于1)高(几十到几百)电流增益 (Ai)高(≈ β)高(≈ β+1)≈1(略小于1, ≈ α)输入阻抗 (Zin)中等(几百Ω - 几kΩ)非常高(几十kΩ - MΩ)非常低(几十Ω)输出阻抗 (Zout)较高。
2025-06-19 08:12:14
2534
原创 硬件学习笔记--68 不同类型的ADC介绍
不同类型的ADC（模数转换器）在转换速度、精度、功耗、成本等方面各有优劣，适用于不同的应用场景。存在流水线延迟（Latency），不适合实时性要求极高的场景。高精度，抗噪声能力强（积分过程抑制高频噪声）。：中速（100 kSPS~10 MSPS）。传感器信号采集（温度、压力、加速度计）。：高速（10 MSPS~1 GSPS）。→ Σ-Δ ADC（如音频、传感器）。：低速（1 SPS~1 kSPS）。：高（比较器数量随分辨率指数增加）。：低速（1 SPS~1 MSPS）。→ SAR ADC（通用型）。
2025-06-17 15:19:04
1232
原创 硬件学习笔记--67 接线端子压缩比相关要求
接线端子的压缩比（也称为压接比或压缩率）是压接工艺中的一个关键参数，直接影响电气连接的可靠性和机械强度。接线端子的压缩比需根据导体材料、端子类型和应用场景综合确定，通常铜导体建议。a）高振动环境（如汽车、航空）需更高压缩比以防松动。：验证压接点的机械强度（如UL 486A要求的最小拉力值）。：确保压接后电阻符合标准（如≤同长度导体电阻的1.5倍）。过高（>30%）：可能损伤导体或端子，导致机械强度下降。例如，若压接后截面积减少20%，则压缩比为20%。过低（<15%）：接触电阻高，易发热或松动。
2025-06-11 11:32:29
1488
原创 硬件学习笔记--66 MCU的DMA简介
DMA（Direct Memory Access，直接存储器访问）是MCU中一种重要的数据传输机制，它允许外设与存储器之间或存储器与存储器之间直接传输数据，而无需CPU的持续干预。
2025-06-04 07:55:09
932
原创 硬件学习笔记--65 MCU的RAM及FLash简介
无需刷新电路，速度快，但成本高，占用面积大。主要用于高速缓存或小容量RAM（如STM32的CCM RAM）。，CPU可直接从Flash执行代码，无需全部加载到RAM。主要用于存储程序代码（如STM32的Flash）。需要定期刷新，集成度高，成本低，但MCU通常不内置（多见于外部扩展RAM）。容量大、成本低，但需要坏块管理，一般用于外部存储（如eMMC、SD卡）。），但嵌入式系统通常避免使用（容易导致内存碎片）。）存放在Flash，运行时无需加载到RAM。：从几KB到几MB（取决于MCU型号）。
2025-06-03 08:27:45
1212
原创 硬件学习笔记--64 MCU的ARM核架构发展及特点
MCU（微控制器）的ARM核架构是当前嵌入式系统的主流选择，其基于ARM Cortex-M系列处理器内核，具有高性能、低功耗、丰富外设支持等特点。DSP/FPU集成：M4/M7/M33支持硬件浮点运算（FPU）和DSP指令，加速信号处理。Helium技术（M55/M85）：支持SIMD指令集，加速机器学习推理（如TinyML）。总线架构升级：M7引入AXI/AHB总线，提高数据带宽，支持高速存储访问（如SDRAM）。1）AI+MCU融合：Cortex-M85+NPU（如Ethos-U55）推动边缘智能。
2025-05-30 08:21:54
1226
原创 硬件学习笔记--63 开关电源简单介绍
（Switching Mode Power Supply, SMPS）是一种高效的电能转换装置，通过高频开关（通常由晶体管或MOSFET控制）将输入电压（如交流或直流）转换为稳定的直流输出电压。A、交流输入时，先经过整流桥（二极管或PFC电路）转换为脉动直流，再通过电容滤波。过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、过热保护（OTP）等。用于电压变换（升压/降压）和电气隔离（如AC-DC电源）。B、直流输入时（如电池供电），可直接进入后续电路。1）更高效率（如GaN/SiC器件应用）
2025-05-30 08:09:58
886
原创 硬件学习笔记--62 MCU的ECC功能简介
ECC（Error Correction Code，错误校正码）是MCU（微控制器）中用于检测和纠正存储器数据错误的硬件功能，主要应用于Flash、RAM、Cache等存储单元，确保数据在传输或存储过程中的可靠性。：识别存储/传输过程中的单比特（Single-bit）或多比特（Multi-bit）错误。：自动修复单比特错误（部分高级MCU支持多比特错误纠正）。：防止因宇宙射线、电磁干扰、老化等因素导致的数据损坏。可检测，纠正每32位数据需6位校验位（开销约16%）支持多比特错误纠正（需更高计算资源）
2025-05-29 07:43:03
1264
原创 硬件学习笔记--61 线性电源简介
线性电源是一种通过线性调节元件（如晶体管、稳压管）来稳定输出电压的电源，其核心原理是连续调整导通电阻，使输入电压降至所需输出电压，多余的能量以热量形式耗散。1）压差选择：确保输入电压 VinVin 比 VoutVout 至少高2V（传统线性稳压器）或0.1V（LDO）。1）变压器（可选）：将交流输入电压（如220V AC）降压为较低的交流电压（如12V AC）。注：部分低压差线性电源（LDO）可直接从直流输入（如电池）稳压，无需变压器。4）保护电路：过流保护（如限流电阻）、反向电压保护（二极管）。
2025-05-28 08:18:53
649
原创 硬件学习笔记--60 硬件相关仿真软件介绍
支持信号完整性（SI）、电源完整性（PI）、EMI分析，提供前仿真（LineSim）和后仿真（BoardSim）。：支持SPICE仿真，适用于模拟/混合信号电路，提供丰富的元器件库和多种分析模式（时域、频域、直流扫描等）。：HyperLynx（SI/PI）、Sigrity（电源分析）、ADS（高速信号）各有所长。：支持混合信号仿真，优化现代硬件（如GPU加速），适用于电源和数字控制电路。：系统级仿真，支持眼图分析、3D电磁场仿真，适用于复杂高速设计。：高速PCB设计（DDR、USB、PCIe等）。
2025-04-24 08:10:14
1411
原创 硬件学习笔记--59 EEPROM、NOR Flash 、NandFlash基础知识介绍
EEPROM、NOR Flash和 NAND Flash 都是非易失性存储器（断电后数据不丢失），但它们在结构、性能和应用场景上有显著区别。
2025-04-23 08:08:03
753
原创 硬件学习笔记--58 MBUS基础知识介绍
1.1 主要特点两线制（电源+数据）：减少布线成本，适合集中式抄表系统。主从架构：一个主设备（如集中器）可控制多个从设备（如计量表）。低功耗：从设备可在待机模式下保持通信能力。长距离通信：理论最大距离可达1000米（实际受线缆质量影响）。抗干扰能力强：采用差分信号，减少电磁干扰（EMI）影响。1.2 应用领域水表、热量表、燃气表的远程抄表。智能建筑能源管理（如 HVAC 系统）。工业自动化（传感器数据采集）。2. MBUS 物理层2.1 电气特性参数说明通信方式异步串行（UART）电压范围。
2025-04-22 08:30:30
887
原创 硬件学习笔记--57 MCU相关资源介绍
MCU（Microcontroller Unit，微控制器）是嵌入式系统的核心，集成了处理器核心、存储器、外设接口等关键资源。分辨率：8~16位（如12位ADC常见于STM32）。ARM Cortex-M0/M3/M4/M7、RISC-V、AVR（Arduino）、MIPS等。8/16/32位：如8051（8位）、PIC（8/16位）、ARM Cortex-M（32位）。Microchip：PIC（8/16/32位）、AVR（如ATmega）防止程序跑飞，分窗口看门狗（WWDG）和独立看门狗（IWDG）。
2025-04-21 08:09:27
862
原创 硬件学习笔记--56 电击防护方式分类介绍
根据电击防护措施的不同，IEC产品标准将电气设备的产品按防间接接触电击的不同要求分为0、Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ四类。以上四类设备，以罗马数字0、Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ进行分“类”而不是分“级”，因为分类只是表示电击防护的不同方式，而并不表明设备的安全水平等级。电气和电子产品通常可划分为以下几类（依据国际标准如IEC 61140、IEC 60536等）：仅依赖基本绝缘防护，。：若基本绝缘失效，需依赖外部环境（如干燥环境）避免电击。：多数国家已禁止（如IEC标准不推荐），但某些旧设备可能存在。：基本绝缘 +
2025-03-30 22:32:21
1466
原创 硬件学习笔记--55 锰铜基础知识介绍
锰铜是一种：84%~86%；：11%~13%；：2%~4%。常见牌号：如6J12（中国）、Manganin®（国际通用）。
2025-03-28 08:37:42
1218
原创 硬件学习笔记--54 DC-DC Buck使用中遇到的问题介绍
在设计和使用DCDC Buck电路时，常见的问题涉及电路设计、元件选型、PCB布局以及实际调试中的异常现象。输出的电压值与理论设计的电压值有偏差。a）FB反馈的两颗电阻选型设计问题，首先电阻需要选用1%精度，若选用5% 精度可能造成一致性不好，电压偏高或者偏低。b）FB值差异影响，对于有些pin to pin的电源芯片，其FB值可能有微小差异造成输出电压值与理论设计有偏差，因此设计选型时需注意。
2025-03-27 08:21:25
1974
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人