honeyball的博客

推挽振荡 ZVS（Zero Voltage Switching）电路是一种，广泛用于。它的核心在于利用使 MOSFET 在（或接近零电压）时开关，减少开关损耗，提高效率。推挽电路采用两个 MOSFET 交替工作，每个 MOSFET 关断时，负载电流会流入对方 MOSFET 的体二极管，并逐渐衰减，使得 MOSFET 在导通前漏极电压自然降到零。这与的工作方式类似，通过谐振元件的储能与释放，实现 ZVS。

动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快(di/dt 大)，dv/dt 很大，引起的较大位移电流，流过 Rs,产生足以使 NPN 晶体管导通的正向偏置电压，造成寄生晶闸管的自锁。IGBT 结构中包含 MOSFET 和 PNP 双极晶体管，由于内部的寄生晶体管结构（NPN 和 PNP 形成的寄生闩锁），在特定条件下可能触发一个正反馈回路，使器件处于不可控的导通状态，即“擎住”。在某些条件下，寄生晶闸管可能被触发，进入持续导通状态，即使栅极关断信号已经撤销，器件仍然保持导通状态，形成擎住效应。

优秀资料，打印备份。

有一个问题，DESAT接的消隐电容220pF作用：当 IGBT 或 MOSFET 关断时，电压瞬态可能会导致误触发。IGBT在正常工作的情况下，Vce电压是0.3V左右，当发生退饱和时候，Vce电压升高到5V 或8V或 9V。DESAT是电阻和二极管是检测IGBT导通压降的。其原理是里面的比较器进行比较输出的。网上没有系统的讲解，都是东一下西一下，知识点比较零散，见谅。电阻越大，EMI效果越好。芯片里面集成了信号变压器，将驱动端和功率端进行隔离。CLAMP是在IGBT关断时低电压锁定。

防止过压损坏 MOSFET。这意味着即使 VCC 电压更高，输出的驱动电压也会被限制在 15.6V 以下。，防止同时导通导致短路。1.2μs 说明该芯片在高低侧切换时会自动插入。应用在电磁炉或者其他家电，电源场景中能降低很多成本。，而 40ns 传播延迟则影响信号的同步性。，比如 50kHz - 200kHz，是由。，以避免直通损耗，提高效率和可靠性。80ns 上升时间意味着它可以支持。，用于保护 MOSFET。

先把数据线走通，对于同一组信号内的走线，layout要做等长处理，最好控制在10~20mil以内（数据走线），对于地址信号走线要求就没那么高，一般50mil以内就可以了。PCB走线阻抗必须要严格控制，否则会出现数据通信异常，或导致电路性能下降，这个阻抗跟PCB线宽，线距，线层，板材还有其它相关因素有关。1、DDR在布局的时候一定要尽可能的靠近CPU，阻容元件放置在DDR背面，特别是滤波电容要尽量靠近管脚，走线要尽量短，电源线尽量粗，必须要配置比较大的储能电容。：封装开裂、内部元件暴露，导致性能下降或失效。

I型NPC适用于简单的高电压、大功率场合，设计和控制相对简单，但中性点电压平衡可能较差。ANPC通过主动控制中性点电压，解决了I型NPC的问题，适合高效的电源转换和电机驱动系统。T型NPC进一步优化了中性点控制，适合高效、高功率应用，尤其是在高功率逆变器领域，能够提供更好的性能和效率。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的米勒效应是指在高电压变化时，栅极-集电极间的电容会影响栅极的电压，进而影响IGBT的开关性能。为了减少米勒效应带来的问题，通常会使用米勒钳位电路。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的软关断（Soft Turn-off）是一种控制方法，用于使IGBT的关闭过程更加平滑，从而减少开关过程中的电压和电流冲击，降低开关损耗，提高系统的效率和可靠性。

在 IGBT 关断时，集电极电流迅速下降，同时由于电感效应（电流突变导致电压尖峰），容易产生高电压过冲（V_ce spike），甚至可能超过 IGBT 的耐压极限，导致器件损坏。同时，dv/dt 过高可能引起寄生电流，影响电路稳定性。的方式，减少电压过冲和 dv/dt 影响，提高系统可靠性，特别适用于大功率、高压应用。的问题，特别是在大功率应用中（如变频器、逆变器和高压直流输电等）。❌ 可能会增加 IGBT 关断损耗（软关断阶段会有部分功率损耗）是一种优化关断过程的策略，通过。，减少电磁干扰（EMI）

IGBT 退饱和通常由过流、栅极驱动不足、母线电压下降或温度过高引起。使用**退饱和保护电路（Desat Protection）**可以有效检测并防止 IGBT 因过流损坏，同时合理选择驱动电压、加入限流保护和优化散热，也能降低 IGBT 退饱和的风险。

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假设有一个额定电流为20A，开关频率为20kHz的IGBT，导通电压为2V，开通时间和关断时间分别为0.5µs和0.4µs，栅极电荷为200nC，栅极驱动电压为15V。计算导通损耗、开关损耗和栅极驱动损耗，并最终确定结温。IGBT的最大电流是在一定温度下的电流。IGBT模块需要特别注重散热，在汽车里面对IGBT模块都有专门的IGBT水冷，另外对于IGBT的学习也要求掌握IGBT的温度特性和损耗。下图是实测的IGBT开通波形，蓝色是Vce波形，红色是Ic波形。两部分，有时还需要考虑。IGBT的损耗可以分为。

这里TVS通过推完电路的下部分PNP部分作为和GND的释放路径。

通过近期的学习，发现IGBT相关的资料大多数来自英飞凌，并且以前国产IGBT没发展起来的时候以前的汽车也绝大多数使用英飞凌的IGBT以及驱动，可见英飞凌在这方面造诣很深，值得学习！为了避免上方和下方IGBT直通，操作员需要确保死区时间足够长。对于该设置，死区时间应大于1.5µs。

饱和状态是IGBT的理想工作状态，退饱和状态CE两端电压急剧增加，损耗加大，所以应该避免IGBT进入退饱和状态。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的退饱和（De-saturation）是指当IGBT在工作时，由于电流过大或其它因素，导致它从饱和区回到线性区的过程。在饱和状态下，IGBT的集电极和发射极之间的电压非常低（接近于零），这时它充当一个开关，几乎没有电压降。

推完电路给IGBT的寄生电容一个快速释放能量的通路：一款汽车电机控制板：电流检测采用霍尔传感器：

下面是汇川技术对于IGBT的认知要求：熟练掌握IGBT，MOS，运放，光耦，MCU，复位等硬件知识；熟练掌握IGBT器件的工作原理、开关特性、损耗分析等知识，掌握IGBT的驱动技术，掌握开关电源技术，了解电子元器件常见失效模式；

本质是一个电子开关，相比于MOS和三极管来说其最大的特点是耐压很高，可达6000V以上；600V以下大多数不选择IGBT,因为其导通时候CE压降在1到2V左右因而导致功率的损耗较大，600V以上这点压降可以忽略不计。另外MOS的开关频率可以做的比IGBT高，一般的家用逆变器的整理桥还是用MOS较多。常用于百V百A级使用，外观上看相比于MOS最大的区别是比较大，mos主要用于中小功率器件中。最大的作用是把高压直流电转化为交流电，也就是逆变器的作用，还有就是变频。永磁同步电机PMSM:无刷电机。