uboot ,s5pv210,内存讲解（8）---读写时序（2）

关于 刷新指令。

首先是关于 刷新指令的电路的原理。

1、电容的电量 很小，随着时间的流逝， 电容的电，会逐渐的降低，所以隔一定时间 需要对电容进行充电。这个充电的过程就叫做刷新。

2、这里与 预充电 是有区别的，预充电是 对 bitline 的电压的控制，而refresh ，指如果是电容是1 的话， 要定期打开 这个电容，对电容进行充电。

3、 一般是经过 64ms .

4、它的大致流程是这样的，首先是打开worldline  , 然后电容的电 就到了 bitline 上， 然后经过 反馈电路， bitline 上一个电压是1 ， 一个电压是0 ， 这个时候就不打开 CSL 了，因为不是读，然后 这个1 的bitline 就会 给电容充电，那么 这个bitline 的1 的能量是哪来的呢？ 是 SAP， SAN作用的结果。然后，还要经过一个 预充电的过程，让bitline 的电压再 回到 二分之一 VCC。

关于refresh 的 时序的图：

１、tRAS ,  指的是 ，从行打开，到数据回写回去的时间，就是重新充电容的时间。

2、tRP，　指的就是　预充电的时间。　就是　ｂｉｔｌｉｎｅ　

３、tRC , 值得就是 row cycle ，这表示对一个行 已经 refresh完了。

4、这里表示的是 每次 刷新的是两个行，

5、tRFC , refresh cycle time , 就是完成一次航刷星的时间，一次行刷新包含了两个行，再加上一些杂七杂八的时间。

接下来 算一下 tREFI 是怎么计算的。

1、 这是一张 关于 不同的 内存的密度 的时间的表格。

2、 tRC 是54ns , tRFC 是127ns.

3、你看 我要求 是 必须在 64ms 之内 刷新完所有的 行，那么一行的刷新就是  64ms / 8k = 7.8ns , 这个值就是 tREFI .

4、tREFI , average perriod refresh interval .

5、

接下来就是  刷新 指令的时序图：

1、首先是 precharge 的指令，然后经过了 tRP 的时间，看是刷新，然后下一次刷新的时间必须是 大于 tRFC 的时间。

2、

然后是关于 空操作指令。

1、首相当前的时钟 它是不管高还是低的， CS为低， 说明这是选中了片选， RAS为高，说明没有进行行选通，CAS为高，说明没有进行列选通。 WE为高，说明没有进行写。

2、也就是说什么都不是，就是 空操作指令。就是 没有发布任何命令的时候，就是空操作指令。

3、

然后是关于下电指令，

1、就是当前CKE 是低电平，就是不需要时钟了，然后要么就直接不片选了，或者就是 有片选，但是不发布任何指令了。

2、

然后来看看 另外另个参数，tRRD , tFAW .

1、 是这样的， 按道理说 是 首先打开一个bank 的一个行，然后等到这个行 precharge 完了之后，在打开这个 bank 的另一个行。

2、后来为了省时间，就是 先打开一个bank 的一个行，不等这个行 precharge 完，就读取另一个bank 的一个行。

3、但是由于 打开一个bank 的一个行是非常耗电的操作，你不能 把8个 bank 的行都打开，这样就功耗太大了。

4、所以就是 最多同时打开4个行，要想打开第五个行，就先关闭一个行。

5、 tRRD , row activation to row activation , 就是打开一个bank 的一个行，到打开另一个bank 的一个行的时间。

6、tFAW , four active window , 打开四个bank 的行 的时间。