晶圆制造
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# 晶圆制造
阿拉伯梳子
2001-2011: 专精于功能设计、需求分析和架构设计，为技术领域的多面手。
2011-2017: 转型至管理岗位，积累了丰富的产品开发、需求管理、项目管理和售前支持经验。
2017-2021: 深入半导体行业，涉猎拉晶、外延片、晶圆制造等多个环节，并在项目管理、客户管理及售前支持方面继续精进。
我的职业生涯就像一部不断升级的科技产品，从最初的功能设计到管理经验的积累，再到深入半导体行业的探索，最后成为专家顾问，仿佛一直在追赶最新的科技潮流。不过，我得承认，虽然在不断的进步，但我的发际线却没有跟上步伐，看来我是用头发换经验了。
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Fab中的检测（Inspection）和量测（Metrology）小科普
|检测|：包括光学检测技术、电子束检测技术和X光量测技术等，其中光学检测技术基于光学原理，通过对光信号进行计算分析以获得检测结果。- |量测|：同样包括光学检测技术、电子束检测技术和X光量测技术等，但更侧重于通过这些技术实现对结构尺寸和材料特性的精确量化描述。3. |连接测试仪器|：将测试样品与相应的测试仪器连接起来，包括选择合适的测试仪器和测试夹具，并进行正确的连接和调试。5. |数据处理和分析|：完成测量和测试后，对测得的数据进行处理和分析，包括数据的整理、计算、图表的绘制等。原创 2024-12-03 21:22:37 · 1459 阅读 · 0 评论 -
晶圆制程setup的一些探讨
例如，应用材料公司的先进计划和排程解决方案，通过两次迭代计算产能，提高计划的准确性，并使用模拟模型验证主计划，为半导体制造商的客户提供准确的交付计划。1. |精确的工艺参数设定与设备调试|：通过调整刻蚀机的功率、气体流量，光刻机的对准、曝光条件，以及CVD过程中的气氛和温度，确保每个工艺步骤达到最佳效果。这样可以减少缺陷产生，提高产品良率。4. |流程控制的确认|：从原材料、设备设置到工艺操作流程，都需要进行严格的确认和验证，确保所有环节都按预定的计划顺利进行，防止出现流程上的失误。原创 2024-12-03 21:13:50 · 1087 阅读 · 0 评论 -
不同晶圆厂的简单分析
>投资情况：据SEMI预计，到2026年，全球12英寸晶圆月产能将达到960万片，中国大陆的产能也将自2022年的22%，提升至25%。->技术特点：使用化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）等，具有独特的电子特性，适用于高压、高频、高温等特殊环境。->技术特点：专注于特定类型的芯片制造，如射频（RF）、模拟、功率器件等，使用成熟/特殊制程技术。->技术特点：使用最先进的制程技术，如5nm、3nm等，包括极紫外（EUV）光刻技术。->应用场合：汽车电子、工业控制、通信等。原创 2024-10-18 17:42:55 · 420 阅读 · 0 评论 -
半导体PW和NPW的一些小知识
芯片制造厂内的晶圆主要由两种，和。原创 2024-06-12 22:11:07 · 9498 阅读 · 0 评论 -
SIC知识（10）--为什么碳化硅IGBT很少见？
1. **成本问题**：碳化硅器件的成本相对较高，目前批量化价格大约是硅基IGBT的3到5倍。此外，制造和封装过程中的低成品率也增加了成本。6. **应用领域的限制**：碳化硅IGBT虽然在一些高性能应用领域（如新能源汽车、太阳能光伏等）具有明显优势，但在其他一些对成本敏感的应用中，其高成本可能限制了其应用范围。4. **市场接受度**：由于成本和技术成熟度的限制，市场对碳化硅IGBT的接受度相对较低。尽管存在上述挑战，但随着技术的不断进步和成本的逐渐降低，预计碳化硅IGBT在未来将有更广泛的应用前景。原创 2024-05-17 11:31:14 · 2610 阅读 · 0 评论 -
Fab厂常见工艺平台
在独立式非易失性存储器平台，以常见的代工产品NOR Flash为例，随着工艺节点的前进，NOR Flash存储单元面积显著缩小，存储容量和工作温度的上限显著提升，产品差异显著，在90nm及以上的产品以存储容量小于16Mb为主，主要应用于一般消费类的产品；技术工艺先进性方面，目前台积电、联华电子等可以提供90nm以下基于BCD工艺的模拟与混合信号产品代工，其中台积电的模拟处理产品覆盖0.5µm-16nm工艺节点，第三代BCD工艺已前进至40nm，联华电子的BCD工艺覆盖0.5µm-55nm工艺节点。原创 2024-04-28 21:12:46 · 1872 阅读 · 0 评论 -
Micro-OLED（硅基OLED）的工艺简介
请注意，上述工艺流程是一个高度简化的概述，实际的硅基IC设计与制造过程要复杂得多，涉及到精密的工程技术和严格的质量控制。Micro-OLED和Micro-LED是两种不同的微显示技术，它们在制造工艺上有一些共同点，但也存在显著差异。- 将微米级的LED晶粒转移到驱动基板上，这是Micro-LED制造中的关键步骤，需要高精度和高良率。- 在硅基IC上进行OLED的制造流程，包括阳极材料的沉积、有机发光层的蒸镀、阴极的沉积等。- 硅片是制造硅基IC的基础，需要经过严格的清洗和抛光，以确保表面无缺陷。原创 2024-04-24 19:47:55 · 1881 阅读 · 0 评论 -
晶圆制造之MPW（多项目晶圆）简介
这种方法允许多个设计共享一个晶圆的制造成本，从而降低了单个设计的成本。然而，对于大批量生产，或者芯片面积较大的设计，直接使用 Full Mask（全掩膜）方式可能更为经济，因为 MPW 是按照晶圆上的占用面积收费的。因为芯片投资太贵了，而基于新工艺或者变化较大的新设计，如果设计有问题，投片的最差结果可能是无法点亮，或者关键的功能，性能不及预期，小则几百万，多则上千万打水漂；需要注意的是，因为MPW从生产角度是一次完整的生产流程，因此其还是一样耗时间，一次MPW一般需要6~9个月，会带来芯片的交付时间后延；原创 2024-04-21 22:06:22 · 7898 阅读 · 0 评论 -
半导体制造工艺之分类浅述
与先进逻辑工艺相比，特色工艺在材料、工艺、器件结构与功能等方面存在不同，其不追求按照摩尔定律的规律缩小工艺节点，而是需要满足现实世界不同的物理需求，比如信号的感应、放大、转换、分隔、输出等，其产品线丰富程度较高，结构有其特定的复杂性，也需要在基础工艺之上投入大量的研发资源和时间成本，面对的典型应用也十分丰富，如采用BCD 工艺的模拟芯片将自然模拟生物特征、光、热、速度、压力、温度和声音准确地转换为数字信号。先进逻辑工艺是相对的概念，2005年全球先进逻辑工艺的工艺节点在65/55纳米，现在则变为3纳米。原创 2024-04-21 21:51:02 · 1757 阅读 · 0 评论 -
半导体制程离子注入注入的是哪些离子
通过该过程将一种元素的离子加速进入固体靶材，从而改变靶材的物理、化学或电学性质。离子注入用于半导体器件制造和金属精加工以及材料科学研究。如果离子停止并保留在目标中，则它们可以改变目标的元素成分（如果离子的成分与目标不同）。当离子以高能量撞击目标时，离子注入还会引起化学和物理变化。高能碰撞级联可能会损坏甚至破坏目标的晶体结构，并且足够高能量（数十兆电子伏）的离子可以引起核嬗变。在制造晶圆时，离子注入工艺中经常使用等有毒材料。其他常见的致癌、腐蚀性、易燃或有毒元素包括锑、砷、磷和硼。原创 2024-04-02 16:52:13 · 1624 阅读 · 0 评论 -
晶圆划片工艺及贴膜知识分享
晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；刀片切割（Blade dicing or blade sawing）厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂；原创 2024-04-01 19:13:56 · 5042 阅读 · 0 评论 -
Wafer的T7 Code是什么，怎么来的
在半导体Cim系统中，waferstart 业务需要支持 Sorter 读取 Wafer 的 T7 Code，与 MES 的 Wafer ID 进行绑定，以便向 前追溯 Wafer 历史，那么问题来了，T7code 是什么Wafer的T7 Code是一种，用于标识双面抛光的晶圆。这种标记采用二维矩阵代码符号，适用于各种尺寸的晶圆，不仅限于450mm无缺口晶圆7。T7 Code是衬底来料背面通常会有的供应商刻的追溯ID，这是一串数字和字母组成的流水码。原创 2024-04-01 17:24:06 · 4393 阅读 · 0 评论 -
晶圆制造过程中常用载具的类型
OPEN CASSETTE主要在晶圆制造内工序间运送及清洗等工艺中使用，与FOSB、FOUP等载具一样，一般采用耐温、机械性能优异、尺寸稳定性以及坚固耐用、防静电、低释气、低析出、可回收再利用的材料。不同晶圆大小、工艺节点9以及工艺所选用的材质有所不同，一般材质有PFA9PTFE、PP、PEEK、PES、PC、PBT、PEI9、COP等。与其他晶圆载具相比，前开式晶圆传送盒具有能提高晶圆产量、提升晶圆良品率、无静电损害等优势。晶圆载具用于硅片生产、晶圆制造以及工厂之间晶圆的储存、传送、运输以及防护。原创 2024-03-19 20:56:11 · 5403 阅读 · 0 评论 -
多晶硅为什么能取代铝做栅极材料
栅，英文名Gate，门的意思。通过改变栅极电压，可以控制硅表面是否形成一个导电通道，进而控制电子（或空穴）的流动，就像开启或关闭一扇门一样。如果在如此高的温度将Al用作栅极材料，Al会熔化(铝的熔点660℃)，会扩散到下层的硅层而导致短路。早期的MOSFET使用铝（Al）作为栅材料，因为铝是具有较低的电阻率，能够有效地传递控制电压至栅氧化层，从而控制沟道中的电流。通过化学气相沉积（CVD）技术沉积一层均匀的多晶硅层，再通过掺杂过程（扩散或离子注入）引入杂质原子（如磷或硼），以调节其电导率。原创 2024-03-11 21:27:50 · 1977 阅读 · 0 评论 -
SIC知识--（3）：激光在SIC晶圆制造中的应用
碳化硅是一种性能优异的第三代半导体材料，具有光学性能良好、化学惰性大、物理特性优良的特点，包括带隙宽、击穿电压高、热导率高和耐高温性能强等优点，常作为新一代高频、高功率器件的衬底材料，广泛应用在高端制造业领域，如新一代电子工业设备、航空航天等。尤为突出的是近年来兴起且不断壮大的新能源汽车行业，预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆，对功率芯片的需求为1000-2000颗/台车，其中超过50%为碳化硅芯片。在激光与碳化硅材料的相互作用中，原创 2024-03-06 15:46:23 · 1600 阅读 · 2 评论 -
什么是片内&片间均匀性？
因为芯片通常具有上千个工艺步骤，如果不对均匀性进行卡控，越往后，制程的良率越低，造成的影响也就越大。均匀性在芯片制程的每一个工序中都需要考虑到，包括薄膜沉积，刻蚀，光刻，cmp，离子注入等。测量片内均匀性通常会选择若干代表性点，这些点涵盖了晶圆的主要区域，例如在晶圆的中心、边缘，边缘与中心之间。举个例子：如果我们在一个晶圆上测量刻蚀后的金属线条尺寸，并在多个位置找到的最大值是2000Å，最小值是1800Å，平均值是1850Å。片间均匀性指的是在一个批次内，不同晶圆之间的指标差异的一致性。原创 2024-03-02 21:55:31 · 1528 阅读 · 0 评论 -
pirun是什么，半导体为什么要pirun?
通过进行小规模的试生产，可以评估CMP过程的效果、抛光结果的一致性以及所需的工艺参数。在试生产过程中，可以尝试不同的工艺参数、抛光液配方和设备设置，以找到最佳的抛光条件和参数组合。试生产可以提供实际的抛光效果和工艺参数，从而可以计算出每片晶圆的抛光成本。通过调整喷射参数，如喷射压力、喷射位置和喷射角度，可以控制抛光液在晶圆表面的分布和流动，从而调节抛光速率。2.清洗和冲洗:在CMP过程中，抛光液中的磨料和杂质可能会残留在晶圆表面，通过喷射清洗液或冲洗液，帮助去除这些残留物，保持表面的干净。原创 2024-02-26 17:32:26 · 7338 阅读 · 0 评论 -
方块电阻及其测量方法
测量薄膜的绝对电阻需要精确知道薄膜的几何尺寸（长度、宽度、厚度），变量很多，对于非常薄或不规则形状的薄膜，十分复杂。而方阻仅与薄膜的厚度有关，可以快速地被直接测试出来，无需复杂的尺寸计算。四探针法可测量方阻电阻范围从1E-3到1E+9Ω/sq之间的方阻。四探针法可以避免由于探头和样品之间的接触电阻而产生的测量误差。，是一个材料固有的性质，表征了该材料对电流流动的阻碍程度。，半导体薄膜需要测方阻，而绝缘薄膜则不需要测。在硅基外延生产过程中，通常也会测试方块电阻。在半导体掺杂中，也会测硅的方阻。原创 2024-02-22 14:57:50 · 15490 阅读 · 1 评论 -
为什么光刻要用黄光
在这个过程中，会将有二氧化硅绝缘层的硅晶圆涂上光阻，并于上方套上光罩（特定位置中有洞），透过紫外光照射，被光照过的光阻会变得容易溶解，将特定位置的光阻以显影液溶解掉，再进行蚀刻，就只蚀刻到特定位置的二氧化硅，其他地方则被光阻保护。无尘室（Cleanroom）排除掉空间范围内空气中的微尘粒子等污染物，获得一个相当洁净的环境，常用于高精度制造的产业，包括半导体制造、生物技术、精密机械、医疗等，其中以半导体业对室内温湿度、洁净度要求最为严格、必须控制在某个需求范围内，才不会对制程产生影响。原创 2024-01-14 13:24:29 · 2437 阅读 · 0 评论 -
外延工艺知识精讲
由于SiCl4等硅源的氢还原及SiH4的热分解反应的△H为正值，即提高温度有利于硅的淀积，因此反应器需要加热，加热方式主要有高频感应加热和红外辐射加热。SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它们是较通用的硅源。1、反应气体从钟罩顶部气体入口处进入反应室，从排成一圈的六个石英喷嘴喷出，经石英挡板阻挡，沿基座与钟罩之间向下，在高温下反应而在硅片表面沉积生长，反应尾气在下部排出。气相外延不需要掺杂。基座是导体，处于涡旋磁场中，产生感生电流，电流加热基座。原创 2024-01-08 19:08:28 · 1610 阅读 · 0 评论 -
（06）金属布线——为半导体注入生命的连接
因为，从半导体制造商的角度来看，要以更低廉的成本令导线用于更多的晶体管，半导体制造工艺也需要同步发展，而当时的工艺并无法解决铜配材带来的新问题。在成功研发出新的微细工艺，出现各种技术难关后，要本着正直的态度，将这些新的技术难题与业界分享，然后再联合起来发挥创新能力，一同将难题攻克。前边提到的钨配线似乎只有优点，其实不然。然而，采用铜作为配线材料时，金属与电介质层的沉积顺序要反过来：即先沉积电介质层，再通过光刻工艺刻蚀电介质层，接着形成铜籽晶层（Seed Layer），在电介质层之间加入铜，最后去除残余铜。原创 2024-01-07 17:19:38 · 1337 阅读 · 0 评论 -
（05）沉积——“更小、更多”，微细化的关键
沟槽填充（Gap fill）原创 2024-01-06 19:57:28 · 981 阅读 · 0 评论 -
（04）刻蚀——选择刻蚀材料创建所需图形
均匀性”原创 2024-01-06 19:41:02 · 1147 阅读 · 0 评论 -
（03）光刻——半导体电路的绘制
为解决这一技术问题，在涂覆光刻胶前，可先将抗反射涂层涂覆在晶圆表面，以减少底部光的反射（因涂覆在光刻胶的底部，故称为Bottom）。半导体制造与饼干烘培的最大区别在于，MOSFET越小，在相同面积的晶圆上，就可以制造出越多的MOSFET，这也就越受客户的青睐。需研发这些技术的理由不胜枚举，但最重要的，就是微细化水平已经达到了极致，光刻机绘制出的精细图形，在涂覆和清洗光刻胶的过程中会被破坏。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量就越少，还可以制造出更多的晶体管，让其发挥作用，可谓是一举多得。原创 2024-01-05 13:25:30 · 1159 阅读 · 0 评论 -
（02）半导体前道制程工艺概览
上图中的数字100和110表示硅的结晶方向，下方的两幅图是硅原子的解析图。从图中可以看出，采用湿法和干法氧化时，晶圆上侧（100）方向的氧化膜生长速度相对较慢，而侧面（110）方向的氧化速度较快。正是考虑到这种优点，*假设氢（H）原子的重量为1，氧（O）原子的重量为16，氧（O2）分子的重量就是32, 水（H2O）分子的重量就是18，因此，氧分子比水分子更重。此外，采用自由基氧化可以在很难形成氧化膜的圆化顶角上形成均匀的氧化膜，在反应活性较弱的氮化硅（Si₃N₄）*中也能“夺取”硅原子，发生氧化反应。原创 2024-01-04 21:53:28 · 1963 阅读 · 0 评论 -
（01）半导体前道的前世今生
这意味着，只要把单个MOSFET的大小控制好，在相同面积的晶圆上可以多制作数十倍的晶体管，还可以直接把单个的MOSFET连接在一起。归根到底，其实计算机就是在蒸汽自动门的基础上，增加了大量的输入和输出，然后在其内部安装数千个输送管，连接形成各种复杂的逻辑结构。蒸汽自动门只有开门和关门的作用，但试想一下，在此基础上，还可以进一步延伸，比如用一根粗绳同时开两扇门，或设计一款人站在门口时不会关闭的安全门等。电驱动自动门作为蒸汽驱动的升级版，其运作原理也是一样，利用开关来控制流入引擎的电流，以此来完成对门的操作。原创 2024-01-04 21:40:08 · 1003 阅读 · 0 评论 -
第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述
每一种半导体材料属性和应用领域各不相同，不管是主流的Si，还是专用领域的GaAs，甚至是下一代的SiC和GaN，各有各的擅长之处，所谓的代数编码，更体现在应用场景和普及时间的不同，行业足够大、需求足够多样，每一种材料都会找到适合的需求空间。，则得到2H-SiC，如果是ABAC…，则是6H-SiC。SiC与传统Si半导体相比，具有宽禁带（Si的3倍）、高导热率（Si的5倍） 、高的击穿电压（Si的10倍） 、高的电子饱和漂移速率（ Si的2.5倍），具有优异的功率半导体性能（体积小、能耗低、驱动力强）。原创 2023-12-31 12:09:24 · 13647 阅读 · 0 评论 -
一盒晶圆只有25片吗？
没有答案，可能是实践的标准。后来在工作过程中发现还有13片的，个人认为研究这个问题不如多看看foup！晶圆载具用于硅片生产、晶圆制造以及工厂之间晶圆的储存、传送、运输以及防护。晶圆载具种类很多，如FOUP用于晶圆制造工厂中晶圆的传送，FOSB用于硅片生产与晶圆制造工厂之间的运输;CASSETTE载具可用于工序间运送以及配合工艺使用。本文我们重点对CASSETTE、FOSBFOUP晶圆载具相关信息进行梳理。原创 2023-12-25 12:13:09 · 731 阅读 · 0 评论 -
epi 外延炉 简介
由于SiCl4等硅源的氢还原及SiH4的热分解反应的△H为正值，即提高温度有利于硅的淀积，因此反应器需要加热，加热方式主要有高频感应加热和红外辐射加热。SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它们是较通用的硅源。1、反应气体从钟罩顶部气体入口处进入反应室，从排成一圈的六个石英喷嘴喷出，经石英挡板阻挡，沿基座与钟罩之间向下，在高温下反应而在硅片表面沉积生长，反应尾气在下部排出。气相外延不需要掺杂。基座是导体，处于涡旋磁场中，产生感生电流，电流加热基座。原创 2023-12-19 16:08:48 · 2276 阅读 · 0 评论 -
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷
颗粒夹杂物是由生长过程中下落的颗粒引起的，通过适当的清洁、仔细的泵送操作和气流程序的控制，它们的密度可以大大降低。通常，表面缺陷是由扩展的晶体缺陷和污染形成的。生长过程中的晶体缺陷和污染可能会延伸到外延层和晶圆表面，形成各种表面缺陷，包括胡萝卜缺陷、多型夹杂物、划痕等，甚至会反过来产生其他缺陷，导致对最终的SiC器件产生不利影响。有研究表明，在SiC外延生长过程中，TSD 转化为基底平面上的堆垛层错 (SF) 或胡萝卜缺陷，而外延层中的 TED 被证明是由外延生长过程中从基底上继承的BPD转化而来。原创 2023-12-18 15:48:04 · 495 阅读 · 0 评论 -
详解光刻机结构及工作原理
由于SiCl4等硅源的氢还原及SiH4的热分解反应的△H为正值，即提高温度有利于硅的淀积，因此反应器需要加热，加热方式主要有高频感应加热和红外辐射加热。SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它们是较通用的硅源。1、反应气体从钟罩顶部气体入口处进入反应室，从排成一圈的六个石英喷嘴喷出，经石英挡板阻挡，沿基座与钟罩之间向下，在高温下反应而在硅片表面沉积生长，反应尾气在下部排出。气相外延不需要掺杂。基座是导体，处于涡旋磁场中，产生感生电流，电流加热基座。原创 2023-12-17 18:48:49 · 6940 阅读 · 0 评论 -
点石成金＞＞＞从“沙粒”蜕变到“芯片”
传统封装需要将每个芯片都从晶圆中切割出来并放入模具中。晶圆级封装(WLP)则是先进封装技术的一种, 是指直接封装仍在晶圆上的芯片。WLP的流程是先封装测试，然后一次性将所有已成型的芯片从晶圆上分离出来。与传统封装相比，WLP的优势在于更低的生产成本。原创 2023-12-15 16:24:53 · 1024 阅读 · 0 评论 -
RMS系统在半导体厂的建设时机漫谈
定时通知，联动保养系统；其具备多类型搬运设备的对接经验，多种导航类型的AGV对接经验，在执行过程可做到全指令跟踪，便捷的log查询，快速定位异常点，各个功能的模块化，仅需适当配置即可实现自动搬运的场景应用。在精细化耗用分析方面，实现了关联保养、维修，汇总各设备耗用量，分析设备耗用集中性，寻找耗用成本过高设备，针对性降低库存占用。设备自动化模块（EAP）支持多种协议，其优势在于可实时管理和监控各设备的运行状况，及时发现制程风险减少损失，提高生产管理的智能化水平，减少人力消耗，提高产品良率。原创 2023-12-06 17:09:06 · 1864 阅读 · 0 评论 -
半导体工艺发展概述
集成电路发展到今天，经历从1940年的PN结发现，到1950年BJT三极管发明，再到1963年CMOS电路发明。从单纯基于Si的半导体电路，再到GaAs, GaN，SiGe, InP等化合物半导体集成电路。不断的通过化学材料配比，基本单元的结构革新，以及多种材料融合实现，效率，体积，速度，成本的突破。BIPOLAR工艺1950年发明，早期模拟电路广泛使用BIPOLAR工艺，BIPOALR工艺可以做到非常低的漏电，非常低的噪声，但是BIPOLAR最大问题是实现数字电路比较困难，或者占用面积较大。原创 2023-12-03 16:33:50 · 652 阅读 · 0 评论 -
半导体工艺控制设备1
在生产过程中，晶圆表面杂质颗粒、图案缺陷等问题的检测和晶圆薄膜厚度、关键尺寸、套刻精度、表面形貌的测量均需用到光学检测技术。有图形缺陷检测是指晶圆在光刻、刻蚀、沉积、离子注入、抛光等工艺过程中，对晶圆进行检测，主要的缺陷不仅包括纳米颗粒、凹陷、凸起、刮伤、断线、桥接等表面缺陷，还包括空洞、材料成分不均匀等亚表面和内部缺陷。无图形晶圆一般指裸硅片或有一些空白薄膜的硅片，后者主要用作测试片，检测的缺陷主要包括表面的颗粒、残留物、刮伤、裂纹等，这些缺陷会影响后续工艺质量，最终影响产品良率。原创 2023-11-22 17:29:44 · 432 阅读 · 0 评论 -
三代半导体材料有何区别
以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料，具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。原创 2024-01-08 09:07:09 · 1409 阅读 · 0 评论