MOS管的开关电路常见问题

MOS管的误导通和栅极击穿损坏

MOS管的第一个问题是,它的栅漏寄生电容(也叫米勒电容)会导致出现MOS管自开通现象。

一、导致MOS管误导通和栅极击穿损坏的原因是什么呢?

如下图所示,当MOS管从导通状态突然切换到关断状态时,MOS管的源极和漏极之间会产生陡峭的dVDS/dt。产生的电流经米勒电容耦合到栅极,导致在栅极电阻中产生电压降,从而提高栅极电压,产生较大的电压尖峰。产生的电流为:i=Cgd⋅dVDS/dt。

当i⋅Rg>Vgs(th)时,MOS管就会发生自导通,对于MOS管构成的H桥电路来说,这种自导通会带来上管和下管同时导通的情况发生,可能损坏一个或者两个MOS管。当栅极的尖峰电压超过栅源之间允许的最大电压时,会击穿MOS管的栅极氧化层,导致损坏。

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二、可以怎么做去防止MOS管的误导通和栅极击穿损坏?

  • 1.选择合适的栅极串联电阻。

MOS管的栅极一般都会接一个电阻,那么这个栅极串联电阻有什么作用呢?

第一个作用就是可以限制驱动电流 ,防止瞬间驱动电流过大导致驱动芯片驱动能力不足或者损坏。MOS管的开启可以看成是对Cgs和Cgd的充电过程,充电瞬间电容相当于短路,电流非常大,驱动芯片瞬间可能无法提供这么大的电流或者因为电流过大而损坏,所以串接一个电阻起限流和保护作用。

第二个作用就是解决上面提到的问题——防止MOS管的误导通和栅极击穿损坏。增大MOS管的栅极串联电阻可以减小开关的导通速度,从而减小dVDS/dt,进而减小栅极的尖峰电压,达到防止MOS管的误导通和栅极氧化层击穿损坏的目的。

但MOS管的栅极电阻过大,会降低开关速度,导致功率损耗增加,引发潜在的发热问题。相反,较小的栅极串联电阻会提高开关速度,容易引发电压尖峰。因此对于栅极电阻的选择要均衡考虑开关速度和尖峰电压的影响。

  • 2.串联合适的栅源电容。
    在栅极和源极之间插入一个电容,这个电容会吸收因dVDS/dt而产生的栅漏电流,从而防止MOS管的误导通和栅极击穿损坏。

  • 3.可以在栅源之间并联一个TVS二极管(瞬态电压抑制二极管),但需要选择合适的钳位电压(Vc)。

TVS(TRANSIENTVOLTAGE SUPPRESSOR)二极管是一种抑制过电压的保护元件,也叫ESD(静电保护)二极管。TVS二极管一般反向并联与被保护元件两端,正常工作时,二极管处于截止状态,不影响电路的正常工作;但当电路中有瞬间的高电压冲击时,二极管能够迅速反向击穿导通(导通时间大多为P秒级),将被保护元件两端的电压钳位在一个较低的水平,从而使被保护元件免于损坏。TVS二极管保护元件的原理如下图所示:
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电压振铃

一、MOS管输出电压振铃的原因分析?

电压振铃其实就是MOS管从一个状态切换到另一个状态时,由于寄生电容、寄生电感等参数的存在,导致的电路中电压振荡的现象。
电压振铃现象在MOS管的输入端和输出端其实都能够看到,它们又会通过MOS管的寄生电容相互耦合。

可以利用RLC组成的串联谐振电路来直观的理解MOS管的电压振铃现象
在一个RLC组成的串联谐振电路中,电阻R起到阻止振荡的阻尼作用,因此R肯定是越大,越不容易振荡。

阻尼比的计算公式为:

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当阻尼比ζ<1时,属于欠阻尼状态,电路就会发生振荡。

当阻尼比ζ=1时,属于临界阻尼状态,电路不会发生明显的振荡。

当阻尼比ζ>1时,属于过阻尼状态,电路的阶跃响应速度变慢。

不同阻尼比时的图形如下图所示:
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MOS管开关电路的栅极电阻、寄生电感、栅源寄生电容组成了如下图所示的RLC串联谐振电路
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二、减小电压振铃的方法

根据上面电压振荡的原因分析可以知道,要想MOS管在开关状态切换时的电压不发生振荡,只需要让阻尼比ζ>1即可
因此,可以从增大栅极串联电阻、减小寄生电感、栅源之间插入小电容的方向去考虑

其实上面的两个问题也可以归结为一个问题,也往往是同时发生的,可以将尖峰电压当做振铃的第一下电压,之所以分开来讲,是因为我觉得这样可能更容易理解。
通过上面的分析,我们发现,解决的方法中都离不开栅极串联电阻、寄生电感、寄生电容。
上面的都是理论分析,为了让大家能够有一个更为直观的认识,下面我就针对这三个不同的参数,分别简单的进行一下仿真。

仿真+真实案例分析

1.栅极串联电阻的影响仿真分析。
分别让栅极电阻等于0.1Ω、100Ω和1000Ω,其他参数保持一致,对MOS管在开关过程中的栅极的电压进行测试。
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2.栅极寄生电感的影响。分别让栅极寄生电感L1=10nH、L2=100nH和L3=500nH,其他参数都保持一致,看看它对尖峰电压的影响。
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R L寄生电感不易被发现,但往往更重要。
下面让我们来看一个因为忽视PCB走线的寄生电感而引起故障的真实案例:
某个项目因为需要改制,所以重新制作了PCB,印制板焊接完成后,测试发现栅极电压发生了大的振荡。如下图所示。
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这明明是一个已经做过的控制方案,器件都一样,为什么重新制板后会发生栅极电压振荡呢?通过排查,仔细对比重制前后的区别,发现这次的设计人员在绘制PCB板时,MOS管驱动芯片距离MOS管的距离远了很多。
这就是PCB板走线的分布电感引发问题的真实案例。

所以,我们一定不要认为这个分布电感很小,从而忽视它的存在。
很多时候,往往对于这些细节之处的考虑才是决定一个硬件工程师水平的地方。

当然由于这些细节所引发的问题也更难排查,比如这个问题中的电压振荡可能不会损坏MOS管,但很容易增加电磁干扰(EMI),一旦干扰引入到了系统之中,由于影响因素变多,就会让排查变得更为困难。
在布局时,驱动部分一定要靠近MOS管且MOS管的驱动回路面积要尽量短,减小寄生电感的影响

PCB走线的寄生电感

可能很多人对于PCB走线的寄生电感到底多大没有一个直观的认识,可能唯一的认识就是它很小,那到底小不小呢?让我们一起来看看:

PCB上一条连线的电感的计算公式是:
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其中,m为导线的长度;W为导线的宽度;H为导线的厚度

例如,PCB 上一条连线的电感在每厘米6~12nH之间变动。

在绘制多层板的时候,由于布线的制约我们不可避免的需要使用通孔,那么这个通孔也会形成一个分布电感。
通孔的分布电感计算公式如下:
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例如,当一个0.4mm(约15mil)直径的通孔穿过15mm厚度的PCB时,就有1.1nH的电感量。


本文转自------- 《硬件精选笔记》公众号

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