MOS管栅级一定不能悬空！！！！

最新推荐文章于 2025-05-04 23:37:13 发布
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MOS管栅级一定不能悬空

原因：

MOS管每一级之间都会产生感应电容

G极同S极D极可看成绝缘的，G极悬空后，感应电压没有释放回路，从而控制mos管导通。MOS管前端电压不受控制直接加在后端电路上了。

MOS场效应管原理、作用及组成电路
让你爱上电路设计
04-09 4912
本文深入介绍了MOS场效应管的工作原理、选型要点，包括热阻、损耗、电容和开关时间，并探讨了MOS管在不同电路中的应用，如电源通断控制、信号切换、电平转换等。此外，还阐述了MOS管驱动电路的设计，如直接驱动、图腾柱驱动和隔离驱动，以及如何加速关断时间。最后，提到了电源防反接和过压保护策略，为实际应用提供了指导。
绝缘栅型n沟道场管_技术小科普—MOS管场效应管（MOSFET）详解
weixin_39653361的博客
11-17 2048
　　一、场效应管的分类　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。　　按沟道...
mos管和三极管的引脚能不能悬空？怎么处理它们的无用引脚？（硬件每日一题）
azj2019的博客
06-22 1万+
先解释一下为什么会出现这种奇怪的问题 数字芯片分TTL（三极管）和CMOS（mos管）两种，实际使用中经常会出现引脚不需要用到的情况。 那么怎么处理？可不可以悬空？ 三极管可悬空，相当高电平，mos管不可，mos管要接高或低电平。 三极管可以悬空，用be节，相当于二极管。但一般是无用引脚接地。 三极管悬空在单片机中接 上拉电阻就可以工作。 为什么不能悬空？ MOS管栅级一定不能悬空，MOS管每一级之间都会产生感应电容，G同S极D极可看成绝缘的，G极悬空后，感应电压没有释放回路，从而控制mos管导通。MOS管
经验：MOS管的栅极不能浮空
08-03
本文介绍了实际使用MOS管的一个小经验：栅极不能浮空。
MOS管极间电容参数学习
最新发布
qq_45138815的博客
05-04 1023
MOS管在电路设计中非常常用，用途包括DC-DC，电平转换等，所以对于MOS管得寄生参数，非常有必要学习根据提供的MOS管资料，查到如下寄生电容参数规格书中最大的输入电容才13pF,可以说是相当优秀了MOS管寄生参数参考1，deepseek2，MOS管各引脚间结电容对电路的影响。
如果 MOSFET 栅极悬空，加直流高压，危险吗？
jiezhangxiaji的博客
02-24 2051
作者：知乎用户 链接：https://www.zhihu.com/question/28645204/answer/41841244 来源：知乎 著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。 考虑mos的寄生电容模型如下（如题主所说，栅极悬空） DS突加直流电压，Cgd上的电压会发生剧烈变化，根据公式 会瞬间感应出较大的冲击电流igd，由于栅极悬空，该电流无路可走，只能给Cgs充电，导致Vgs升高，当Vgs大于门槛电压Vth时，该mos误开通，导致桥臂直通炸管子.
CMOS电路多余输入端悬空会造成逻辑混乱，可以这样处理！
09-25 5199
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。有初学者在使用CM...
关于场管G极悬空的实验与结论
u010210711的博客
10-15 612
有某某培训学校的实地学员问我：如果场管的G极悬空会怎么样？我说禁止悬空。他又问如果悬空了呢，会怎样？我说，不确定，可能导通，也可能截止。他说，他们的老师现场给他们做了实验，让G极悬空，给D、S加5V电压，不论N沟道还是P沟道，场管都击穿了，证明场管的G极不能悬空，一旦悬空，场管会马上击穿。随后大家展开了热烈的讨论。对此，我先给出我的技术分析，然后再给出我的实验分析技术分析：1、我们在用万用表蜂鸣档...
TTL门和MOS门悬空输入的处理
AD7533的博客
06-29 6436
引言 　　本来是数字电路学习时很重要的考点，但是总容易忘掉，所以记录一下~ 内容 　TTL　 　　TTL电路中的TTL是Transistor-Transistor-Logic的英文缩写，指的是晶体管逻辑电路，即TTL门是又三极管组成的。 　　由三极管的阻抗特性可知，当输入端串联电阻时，会影响TTL电路的输入电压，当输入端串联电阻大于1kΩ时，即使串联电阻后接地，其输入端的电压相当于高电平。 　　所以针对TTL门可以展开讨论： 　　（1）与门、与非门。悬空输入可以是 　　　　　　a.接到VDD
MOS管随笔记
weixin_40929088的博客
02-17 419
MOS管 G：gate栅极 S：source源极 D：drain漏极 P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出， S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通 S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通 N沟道相反 N沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟...............
mos管 rl_三极管与mos管(场效应管)及可控硅区别
weixin_39589394的博客
12-20 2769
三极管与mos管(场效应管)及可控硅区别MOS管的特性、工作原理，与真空电子管类似：栅极没有电流，即没有输入电流，具有高输入阻抗；漏极电流由栅极电压控制，是电压控制器件……半导体三极管是两个P-N结组成，由基极电流来控制集电极电流，是一个电流控制器件；基极输入的是电流，输入阻抗低，需要输入功率……另：1、场效应管是电压控制元件，而晶体管的是电流控制元件。在只允许从信号源取较小电流的情况下，应选用场...
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理
weixin_43335555的博客
01-12 2159
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS 管H 桥。 桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关，P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。 正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1 置高电平（U=VCC）、控制臂2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭
数电中电路模块引脚悬空问题
m0_73811325的博客
01-09 2203
"NC"是英文normally close的缩写,意思是"悬空状态"。数字芯片分TTL（三极管）和CMOS（mos管）两种，实际使用中经常会出现引脚不需要用到的情况。三极管的"输入引脚"和"输入输出引脚"可以悬空，相当高电平，但更建议根据功能表接高电平(+5V 的固定电压，+5这里代表高电平)、低电平(接地)。mos管的"输入引脚"和"输入输出引脚"不可悬空，要接高电平、低电平。mos管的"输出引脚"在不用时候可以悬空。三极管的"输出引脚"在不用时候可以悬空。最近期末复习(预习)数电时发现这个问题。
硬件排坑笔记
橙子的博客
04-25 1020
分析MOS悬空和电流采样共模干扰问题
图解MOS管的驱动技术及应用
天下对手教会少林武僧
08-31 6670
MOS管作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOS管作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOS管的驱动技术，以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。 　　首先，来做一个实验，把一个MOS管的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS管会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根...
MOS管的开关电路常见问题
sinat_15677011的博客
07-04 3811
MOS管的开启可以看成是对Cgs和Cgd的充电过程，充电瞬间电容相当于短路，电流非常大，驱动芯片瞬间可能无法提供这么大的电流或者因为电流过大而损坏，所以串接一个电阻起限流和保护作用。当i⋅Rg＞Vgs(th)时，MOS管就会发生自导通，对于MOS管构成的H桥电路来说，这种自导通会带来上管和下管同时导通的情况发生，可能损坏一个或者两个MOS管。增大MOS管的栅极串联电阻可以减小开关的导通速度，从而减小dVDS/dt，进而减小栅极的尖峰电压，达到防止MOS管的误导通和栅极氧化层击穿损坏的目的。
MOS栅源（G-S）极下拉电阻有什么作用？
huxyc的博客
10-31 4046
还有，由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。保护栅极G~源极S，场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极。MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C)，将管子损坏。这个电阻称为栅极电阻。
MOS管烧毁，90%以上的硬件工程师都会遇到的问题！
热门推荐
weixin_43772512的博客
02-07 2万+
MOS管烧毁，我相信90%以上的硬件工程师在职场生涯中都会遇到这类问题。然而这类问题也总是让人防不胜防。那么今天小白就给大家讲解一下MOS管烧毁的几个常见原因。 在讲解前，小白给大家画一下MOS管的等效模型(以我最熟悉的N-MOS管举例)。 给大家介绍几个必须掌握的名词 VDSS:漏极于源极之间所施加的最大电压值。 VGSS:栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 IDC:漏极允许通过的最大直流电流值。 Tch:MOS管的沟道的上限温度 热阻：表示热传导的难易程度，热阻值越小，散热性能越好。 IDSS:漏极
三极管
10-08 2604
三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 MOS管用作开关时在电路..
单片机驱动NMOS管，在源极和栅极之间要预留电容位置吗
03-08
<think>嗯，用户问的是单片机驱动NMOS管时，源极和栅极之间是否需要预留电容位置。首先，我得回忆一下MOS管的基本驱动原理。通常来说，MOS管的栅极和源极之间有一个寄生电容，也就是Cgs，这个电容会影响开关速度。 用户可能是在设计电路时，遇到了开关速度的问题或者噪声干扰，所以考虑是否要加这个电容。不过一般来说，栅极和源极之间加电容的情况不太常见，反而是栅极和地之间会加一个下拉电阻，或者在栅极串联电阻来调节开关速度。 不过，有时候为了减缓开关速度，减少电压尖峰和EMI，可能会在栅源之间加一个小电容。但这样做会增加驱动电路的功耗，因为每次开关都需要对这个电容充放电。所以需要权衡利弊。 另外，还要考虑单片机的驱动能力。如果电容太大，可能会导致单片机输出电流不足，无法快速充放电，从而影响MOS管的开关速度，甚至发热。 可能用户没有明确说明应用场景，比如是高频开关还是低频应用，不同的场景下是否需要这个电容会有不同。需要进一步询问或者根据常规设计给出建议。 总结下来，通常不需要在源极和栅极之间预留电容，但在特定情况下可以考虑添加小电容来抑制噪声或减缓开关速度。同时要注意驱动能力和功耗的问题。</think>在单片机驱动NMOS管的场景中，关于源极（S）和栅极（G）之间是否需要预留电容，需要从以下角度分析： **常规情况不需要预留电容** 1. **寄生电容影响** 所有MOS管本身存在栅源寄生电容（C<sub>GS</sub>），其典型值在几百pF到nF级。刻意增加外部电容会显著增大总容值，可能导致： - 驱动电流需求增加（I = C·dV/dt） - 开关速度降低（t = RC） - 栅极电压上升/下降时间延长 2. **典型驱动电路设计** 常规做法是： - 在栅极串联电阻（R<sub>G</sub>）用于调节开关速度 - 在栅极-地之间加下拉电阻（防止悬空误导通） - 必要时加栅极保护二极管（如TVS管防静电） **特殊场景可考虑添加电容的情况** 若遇到以下问题，可尝试在S-G间加1-10nF电容： 1. **高频振荡抑制** 当PCB布局不合理导致栅极环路电感过大时，可能引发高频振荡。小电容可吸收高频分量。 （需配合示波器观察波形验证） 2. **电压尖峰吸收** 在快速开关大电流负载时，源极电感（如走线电感）可能产生瞬态电压。计算公式： $$ V_{spike} = L \cdot \frac{di}{dt} $$ 此时电容可提供瞬态电流路径。 3. **EMI优化** 通过减缓开关沿斜率降低电磁辐射，但需平衡开关损耗： $$ P_{sw} = \frac{1}{2} C_{iss} V_{DD}^2 f_{sw} $$ （C<sub>iss</sub>为输入电容，f<sub>sw</sub>为开关频率） **设计建议** 1. 优先优化PCB布局： - 缩短驱动回路（单片机→驱动芯片→MOS管G极） - 使用低电感接地平面 2. 推荐测试方法： ```c // 示例：PWM驱动测试代码（需根据实际单片机调整） void main() { PWM_Init(10000); // 10kHz PWM while(1) { PWM_SetDuty(50); // 50%占空比 // 用示波器观测GS波形 } } ``` 通过实际测试观察： - 栅极电压上升/下降时间 - 是否存在振铃现象 - 开关损耗导致的温升 3. 若必须添加电容： - 选择低ESR的陶瓷电容（如X7R/X5R） - 容值建议从100pF开始调试 - 配合栅极电阻调整时间常数τ=RC **典型错误案例** 某电机驱动电路未预留S-G电容位置，量产时发现5%的板子出现MOS管异常发热。经排查是因PCB工艺偏差导致源极走线电感增大，后通过补焊1206封装的1nF电容解决问题。这说明预留焊盘可提高设计灵活性。 **结论** 虽然常规设计不强制要求S-G间电容，但从工程实践角度，建议预留0805或1206封装焊盘。这可在不显著增加成本的前提下，为后期调试提供便利，特别适用于： - 高频应用（>100kHz） - 大电流负载（>10A） - 空间受限的紧凑型设计 最终是否安装电容需通过实际测试决定，应综合评估开关速度、EMI、效率等指标。
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