GD32的flash读、擦除、写操作

最新推荐文章于 2025-06-20 00:48:16 发布

qlexcel

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分类专栏： MCU 文章标签： GD32

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本文详细介绍了GD32系列微控制器的Flash特性，包括零等待执行、双Bank结构、不同型号的容量差异以及页大小。同时，提供了Flash的读、擦除和写操作的具体步骤及示例代码，包括页擦除、整片擦除和编程操作，帮助开发者更好地理解和使用GD32的Flash存储资源。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

GD32的flash特征

1、在flash的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较长延时；
2、对于flash大于512KB（不包括等于512KB）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了两片闪存；前512KB容量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中；
3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD，只使用了bank0；
4、对于 GD32F10x_MD ，闪存页大小为 1KB 。 GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ，GD32F10x_XD，bank0的闪存页大小为2KB，bank1的闪存页大小为4KB；
5、支持32位整字或16位半字编程，页擦除和整片擦除操作；

GD32的flash结构

GD32F10x_MD

在这里插入图片描述

GD32F10x_CL，GD32F10x_HD 和 GD32F10x_XD

在这里插入图片描述

GD32的flash读操作

flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。

value=*(uint32_t*)FlashAddr;

uint16_t IAP_ReadFlag(void)
{
	return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR);  
}

GD32的flash擦除操作

页擦除

每一页可以被独立擦除，步骤如下：

确保FMC_CTLx寄存器不处于锁定状态；
检查FMC_STATx寄存器的BUSY位来判定闪存是否正处于擦写访问状态，若BUSY位为1，则需等待该操作结束，BUSY位变为0；
置位FMC_CTLx寄存器的PER位；
将待擦除页的绝对地址（0x08XX XXXX）写到FMC_ADDRx寄存器；
通过将FMC_CTLx寄存器的START位置1来发送页擦除命令到FMC；
等待擦除指令执行完毕，FMC_STATx寄存器的BUSY位清0；
如果需要，使用DBUS读并验证该页是否擦除成功。

代码上直接调用GD的库函数即可：

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
{
	fmc_unlock();  //fmc解锁
    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    /* erase the flash pages */
	fmc_page_erase(Page_Address);
	
	/* clear all pending flags */
	fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
	fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
	fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
	
	fmc_lock();  //fmc上锁
}

要擦除连续的几页：

void fmc_erase_pages(void)
{
    uint32_t erase_counter;

    /* unlock the flash program/erase controller */
    fmc_unlock();

    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    /* erase the flash pages */
    for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){
        fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter));
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    }

    /* lock the main FMC after the erase operation */
    fmc_lock();
}

整片擦除

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
{
	fmc_unlock();  //fmc解锁
    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    /* erase whole chip */
	fmc_mass_erase();
	
	/* clear all pending flags */
	fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
	fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
	fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
	
	fmc_lock();  //fmc上锁
}

GD32的flash写操作

往flash的某个地址写入数据前，一般要先擦除该地址。
16位半字编程：

void IAP_WriteFlag(uint16_t flag)
{
	fmc_unlock();
	fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR); 
	fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag);
	fmc_lock();
}

32位整字编程：

void fmc_program(void)
{
    /* unlock the flash program/erase controller */
    fmc_unlock();

    address = FMC_WRITE_START_ADDR;

    /* program flash */
    while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){
        fmc_word_program(address, data0);
        address += 4;
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); 
    }

    /* lock the main FMC after the program operation */
    fmc_lock();
}