21、计算机内存技术：从DDR到DDR5及相关模块与通道解析

计算机内存技术：从DDR到DDR5及相关模块与通道解析

1. 现代SDRAM基本特性

在现代计算机中，SDRAM（同步动态随机存取存储器）是重要的内存组件。对于大多数现代SDRAM而言，CL（列地址选通脉冲潜伏期）、tRCD（行地址选通脉冲到列地址选通脉冲的延迟时间）和tRP（行预充电时间）通常约为13 ns，并且自SDRAM首次推出以来，这些参数并没有显著变化。实际上，几十年来，DRAM（动态随机存取存储器）单元和阵列的工艺技术也没有显著改变，只是在加快内存传输的技术方面有所发展，例如同步接口、银行交错等。

2. DDR各版本特性

2.1 DDR版本发展概述

为了提升DDR SDRAM的性能，其不断得到改进。由于DRAM的本质（数据以电荷形式存储）以及实现DRAM单元所使用的工艺技术，DRAM核心（DRAM阵列）在几十年来基本保持不变，其运行速度相对较低。在SDRAM中，用于在数据总线上传输数据的时钟速率等于在内部锁存器、感测放大器和输入/输出数据寄存器之间传输数据的时钟速率。后续改进的DDR SDRAM版本通过采用更大的预取或提高数据总线的频率（而非SDRAM核心的频率）来加快内存传输，这些版本依次编号为DDR2、DDR3、DDR4和DDR5。

2.2 各版本具体特性对比

版本	芯片名称	DRAM时钟 (MHz)	预取	数据总线时钟 (MHz)	MT/s	CL - tRCD - tRP