6、场效应晶体管与下一代二硫化钼 FET 特性解析

场效应晶体管与下一代二硫化钼 FET 特性解析

场效应晶体管相关研究

1. 半导体电容计算
   半导体的电容可由前面的公式推导得出，表达式为：
   [C_{sc}=-\frac{2A_s\sqrt{\frac{\epsilon_s}{q}}\left(N_A\exp\left(-\beta\phi_s\right)\right)}{\left(1 + \exp\left(\beta\left(\chi - \phi_s\right)\right)\right)}\left[\exp\left(\beta\left(\phi_s - \chi\right)\right) - 1\right]]
   同时，为简化计算假设 (V_{FB} = 0V)，则有 (Q_{SC}= - C_{ox}(V_G - \phi_s))，其中 (V_G) 和 (C_{ox}) 分别为栅极电压和氧化物电容。MOS 器件的总电容为 (\frac{1}{C}=\frac{1}{C_{ox}}+\frac{1}{C_{SC}})。
2. MOS 电容中扭折效应的模拟
   • 模拟流程 ：模拟 MOS 电容扭折效应的参数优化算法流程图如下：

graph TD;
    A[定义器件结构和参数] --> B[引入不完全电离模型];
    B --> C[优化激活能量?];
    C --> D[优化陷阱密度?];
    D -