19、二维Xenes材料：特性、应用与前景

二维Xenes材料：特性、应用与前景

1. 二维硒烯（Selenene）的特性与应用

二维硒烯在电子和光电子领域展现出独特的性能。基于硒烯的场效应晶体管（FET），沟道厚度为16nm，呈现出p型传输行为，这主要归因于纳米片表面存在氢和羟基终端。

特性	数值
ON/OFF电流比	~10⁶
ON态电流（源 - 漏电压3V时）	~20 mA/mm
空穴迁移率（300K）	0.26 cm²/V/s

与其他二维半导体材料（如碲烯和黑磷）相比，硒烯的空穴迁移率较低，但这一特性使其在热电应用方面具有吸引力。此外，硒烯器件在环境条件下放置数天后仍表现出良好的稳定性。当用637nm激光源照射时，硒烯的导电性增强，适用于低噪声、高灵敏度的光电子应用，如高灵敏度光电晶体管。其产生的器件对入射激光功率呈现线性光响应，响应速度高达0.10s，光响应率（在照明功率为0.21 mW/cm²时为263 A/W）与其他二维材料相当或更高。

mermaid代码如下：

graph LR
    A[硒烯FET] --> B[p型传输行为]
    A --> C[高ON/OF