齐纳二极管,肖特基二极管,瞬态电压抑制二极管

普通二极管，齐纳二极管，肖特基二极管的符号：

瞬态电压抑制（TVS）二极管是一种特殊的齐纳二极管，其符号如下：

普通二极管

普通二极管由n类型 的半导体和p类型的半导体结合而成。

硅材料制成的二极管的正向正向导通电压为0.7V. 由于PN结存在耗尽区（depletion region）, 其反向击穿电压要大于肖特基二极管。

普通二极管常被用在较高电压的全波整流和半波整流电路中。在一些应用中，利用二极管的0.7V正向导通电压的特性，在需要限制电压高于0.7V的电路中，也被用在钳位电路中。

齐纳二极管（Zener diode）：

由高掺杂的P-N结制成。

当反向电压等于其击穿电压时，其电阻急剧下降。此时，尽管其反向电流发生了很大变化，其反向电压变化很小。因此，常利用其反向特性作为稳压二极管使用。

利用齐纳二极管的反向导通的恒压特性，齐纳二极管常被用作稳压电路用。

肖特基二极管（Schottky diode）:

由金属-半导体结制成。金属-半导体结之间不存在耗尽区。

肖特基二极管的金属-半导体结的正向导通电阻很小，允许大的电流通过，导通电压较低，为0.3-0.7V. 反向漏电流大于常规PN结二极管。