电子技术——CMOS 逻辑门电路

在本节我们介绍如何使用CMOS电路实现组合逻辑函数。在组合电路中,电路是瞬时发生的,也就是电路的输出之和当前的输入有关,并且电路是无记忆的也没有反馈。组合电路被大量的使用在当今的数字逻辑系统中。
晶体管的开关模型
CMOS数字电路使用NMOS和PMOS晶体管作为开关使用。之前,我们知道,MOS可以工作在三极管区(相当于开关闭合),也可工作在截止区(相当于开关断开)。
特别的,当一个NMOS作为闭合的开关的时候,此时栅极电压处于高电压,相当于一个从漏极到源极直接相当小的一个电阻 RonR_{on}Ron 或 rDSr_{DS}rDS ,通常处在高电压 VDDV_{DD}VDD 状态,表示逻辑1。相反,当栅极为低电压的时候,此时MOS截止,表示逻辑0,没有电流流过MOS,如图:

而PMOS则工作在相反的状态,栅极高电压,MOS管截止,栅极低电压,MOS管导通,如图:

我们观察到MOS管的栅极通常是逻辑控制输入节点,通常作为逻辑门的输入端。
CMOS反相器
在了解MOS开关的工作方式之后,先让我们制作一个反相器。正如其名,反相器可以逆转输入的逻辑,即输入0输出1,反之亦然。因此该功能可以使用布尔函数表示为:
Y=X‾ Y = \overline{X} Y=X
其抽象电路模型和实现电路如图所示:

它由一对CMOS组成,栅极相连,作为输入端 XXX ,漏极相连作为输出端 YYY 。当 X=1X=1X=1 的时候,即 VX=VDDV_X = V_{DD}VX=VDD ,此时PMOS截止,而NMOS导通,输出 Y=0Y = 0Y=0 。当 X=0X=0X=0 的时候,PMOS导通而NMOS截止,此时输出 Y=1Y=1Y=1 。
CMOS逻辑门的一般结构
由上面的反相器我们能总结出CMOS逻辑门的一般结构,反相器由一个NMOS 下拉晶体管 和一个PMOS 上拉晶体管 组成。CMOS逻辑门由两个网络组成:一是 下拉网络PDN 由NMOS组成 ,二是 上拉网络PUN 由PMOS组成。如图:

这两个

文章介绍了CMOS电路如何实现组合逻辑功能,重点讨论了晶体管的开关模型,CMOS反相器的构造以及CMOS逻辑门的一般结构。通过NMOS和PMOS的工作原理,展示了如何构建或非门、与非门和异或门等基本逻辑门电路,并强调了PDN和PUN网络在实现逻辑功能中的作用。
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