电子技术——MOS管的小信号模型

电子技术——MOS管的小信号模型

在上一节，我们已经学习过了MOS管的基本线性放大原理，本节我们继续深入MOS管的小信号放大，建立MOS管的小信号模型。

我们本节继续使用上节的电路，如下图所示：

DC偏置点

根据上节的知识，我们知道漏极DC电流为：

$$I_D=\frac{1}{2}{k}_n{V}_{OV}^2$$

在这里我们忽略MOS管的沟道长度调制效应（ $\lambda =0$ ）。

输出DC电压为 $V_{DS}=V_{DD}-R_D{I}_D$ 。

为了保证MOS管工作在饱和区，必须使得 $V_{DS}>V_{OV}$ 。因为输出信号直接叠加在 $V_{DS}$ 上，漏极电压必须留出足够的余量，使得MOS工作在饱和区。

漏极的信号电流

接下来，我们考虑叠加 $v_{gs}$ ，因此 $v_{GS}=V_{GS}+v_{gs}$ ，这导出漏极的瞬时电流值：

$$i_D=\frac{1}{2}{k}_n(V_{GS}+v_{gs}-V_t{)}^2=\frac{1}{2}{k}_n(V_{GS}-V_t{)}^2+k_n(V_{GS}-V_t)v_{gs}+\frac{}{2}$$