DDR4 spec Q&A part3

Q1: DDR4 SDRAM的命令结构是怎样的？控制信号如何工作？

A: DDR4 SDRAM的命令是通过多个控制信号在时钟上升沿定义的。根据Command Truth Table，主要的控制信号包括CS_n、ACT_n、RAS_n/A16、CAS_n/A15、WE_n/A14和CKE。当ACT_n为高电平时，RAS_n/A16、CAS_n/A15和WE_n/A14用作命令引脚；当ACT_n为低电平时，这些引脚用作地址引脚A16、A15和A14。

各种命令如MRS（Mode Register Set）、REF（Refresh）、ACT（Bank Activate）、RD/WR（读/写）等都是由这些控制信号的特定组合触发的。此外，BG（Bank Group）和BA（Bank Address）决定操作哪个bank group内的哪个bank，而对于MRS命令，BG和BA则选择特定的Mode Register位置。

RESET_n是低电平有效命令，仅用于异步复位，在任何其他功能期间必须保持高电平。所有命令执行都需要满足特定的时序参数和前置条件。

Q2: DDR4 SDRAM的CKE信号有什么作用？它控制哪些功能模式？

A: CKE（Clock Enable）信号在DDR4 SDRAM中用于控制设备的电源状态和操作模式，决定芯片是处于活动状态还是低功耗状态。根据CKE Truth Table，CKE控制以下功能模式：

1. Power Down模式：当CKE从高变为低，同时发出DESELECT命令时，DRAM进入Power Down状态，此模式不执行刷新操作

2. Self Refresh模式：当CKE从高变为低，同时发出SELF REFRESH ENTRY命令时，DRAM进入Self Refresh状态

3. 从这些低功耗模式退出：当CKE从低变为高时，DRAM从Power Down或Self Refresh状态退出

CKE的状态变化必须满足特定的时序要求，如tCKEmin等。在Self Refresh期间，ODT功能不可用，而VPP和VREF(VrefCA)电压必须维持。所有CKE状态转换都需要遵循严格的时序协议，以确保DRAM可靠操作，错误的CKE序列可能导致数据丢失或不正确的操作。