DDR4 spec Q&A part5

Q1: ZQ Calibration 的主要作用是什么？执行过程中需要注意哪些事项？

A1: ZQ Calibration 是DDR4存储器中的一项重要校准功能，主要用于校准输出阻抗和终端电阻值，确保信号完整性和系统稳定性。执行ZQ Calibration时需要注意以下几点：

1. 在整个校准过程中，CKE信号必须持续保持高电平。

2. 校准过程中，ODT信号必须保持低电平，而DRAM会继续提供RTT_PARK功能。

3. 所有连接到DQ总线的设备在校准过程中应处于高阻态或RTT_PARK状态。

这些条件确保校准过程能够准确进行，不受其他信号和设备的干扰。ZQ Calibration对于保持DDR4存储器在不同工作条件下的稳定性和可靠性至关重要。

Q2: DDR4中的DQ Vref Training是什么？Vref的操作范围如何定义？

A2: DQ Vref Training是DDR4中用于校准数据线参考电压的训练过程。它允许系统调整DRAM内部的DQ Vref值，以适应不同的工作环境和信号条件。

Vref的操作范围由Vrefmin和Vrefmax定义，这是DDR4 DRAM设备所需的最小参考电压设置范围。根据文档，DDR4支持两个范围：

• Range 1: Vref_min_R1为60% VDDQ，Vref_max_R1为92% VDDQ

• Range 2: Vref_min_R2为45% VDDQ，Vref_max_R2为77% VDDQ

其中VDDQ_DC是1.2V的电源电压。Vref的步进大小(stepsize)范围从0.5% VDDQ到0.8% VDDQ，具体设计中DRAM会有一个落在此范围内的固定步进值。这种精确的参考电压调整能力使DDR4能够在各种系统环境中实现可靠的数据传输。