17、光刻与蚀刻问题：光刻胶选择、工艺及优化策略

光刻与蚀刻问题：光刻胶选择、工艺及优化策略

1. 光刻胶设计与参数筛选

成功的高对比度正性光刻胶设计，需要曝光和未曝光光刻胶之间呈现非线性响应。对于多光解程度 (q)，一般溶解速率可表示为特定公式，其中 (r) 是完全光解的溶解速率。多光解对光刻胶对比度有潜在影响，随着 (q) 增加，光刻胶对比度提高。过去三年，一些商业正性光刻胶制造商在提高光刻胶对比度方面取得了显著进展，平均 (q) 值接近 4 及以上。

光刻胶的功能由六个基本参数表征：
- 曝光吸收特性参数 ：Dill A、B 和 C 参数。
- 经验溶解特性参数 ：在特定显影剂系统中的 (E_1)、(E_2) 和 (E_3)。

这些参数可通过经验轻松测量，并用于建模软件中理论计算图像轮廓等重要量。A 和 B 与光刻胶吸收率 (E) 相关，A 和 C 与光敏成分量子效率有关，且共同决定光刻胶灵敏度。A 还会因光刻胶光敏成分（PAC）负载增加而增大，B 由 PAC 镇流分子的透明度、光刻胶配方树脂的透明度以及光刻胶配方中是否存在吸收染料决定。

表 1 展示了一些光刻胶参数数据示例：
| 光刻胶系统 | A | B ((\mu m^{-1})) | 对比度 | 线性度 ((\mu m)) | CD 摆动曲线 | CD 摆动曲线斜率 | DOF ((\mu m)) |
| — | — | — | — | — | — | — | — |
| OFPR 800 (Ito) | 0.50 | 0.11 | | | | | |
| System 9 | 0.44 | (\sim0.06