I-deas TMG 基础培训教程 – 小例题 (4)

本教程详细介绍了如何在I-deas TMG中进行热耦合分析。内容包括:模型的网格划分、热边界条件设定,如芯片上的10W热载荷、封装材料上下边界的25°C恒温;以及热耦合设置,如芯片与PCB板间5000 W/m²/C的热传导系数和封装与PCB之间的1600 W/m²/C热耦合。通过后处理显示的节点温度云图,验证了热耦合的有效性,特别强调了一维单元(梁元)与二维单元间的传热机制。

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关于 TMG 的热耦合

  本例学习: 
  1. 了解热耦合时如何工作的 
  2. 热耦合的种类 
  3. 在热耦合中使用一维和二维单元

在这里插入图片描述
模型见上图,已经划分好网格并创建了以下组:
* CHIP
* BOARD
* PCB EDGE (PCB 板与封装材料的接触边界)
* CASING
* CASING TOP (封装材料的上边界)
* CASING BOTTOM (封装材料的下边界)
将要定义如下热边界条件:
* 在芯片上:10W 热载荷
* 封装材料的上、下边界保持 25°C 的常温。
读入模型文件:
…/tmg/tutorial/vignette004_init.unv
设置单位为 m-N,然后储存模型文件为:
vignette004.mf1
在这里插入图片描述
在芯片和 PCB 板之间定义热耦合:
Constant coefficient*:5000 (W/m2/C)
在这里插入图片描述
对 PCB 板和封装之间的边界传热,创建热耦合:
Constant coefficient:1

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