《炬丰科技-半导体工艺》KOH蚀刻对镓面极性n-GaN表面性质的影响

KOH蚀刻对n-GaN表面及Au/n-GaN接触的影响
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研究发现氢氧化钾(KOH)蚀刻对n型氮化镓(GaN)表面性质产生显著影响，增加了Au/n-GaN接触的非辐射重组特性。这与表面Ga空位增加、N-H2含量增加和C污染减少有关。对于MBE和MOCVD生长的GaN，KOH处理导致不同结果，表明在评估n-GaN电学性质和金属接触性能时，必须考虑表面处理后的原子含量和状态。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：KOH蚀刻对镓面极性n-GaN表面性质的影响

编号：JFKJ-21-829

作者：炬丰科技

网址：半导体工艺资料_半导体清洗工艺_湿法腐蚀工艺_氮化硅的湿法腐蚀_湿法腐蚀工艺参数_炬丰科技

关键词：表面性能，接触力学，电学性能，氮化镓，金属化

摘要

通过x射线光电子能谱、原子力显微镜、反射高能电子衍射、电流电压和电子束诱导电流表征，研究了氢氧化钾处理对n型氮化镓表面性质和相关Au/n

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