《炬丰科技-半导体工艺》GaN 的简单湿法蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN 的简单湿法蚀刻

编号：JFKJ-21-459

作者：炬丰科技

摘要

  我们讨论了对 GaN 的非接触式紫外线增强湿法蚀刻技术的研究。该技术利用氧化剂过硫酸钾来消耗光生电子，从而避免了与外部阴极电接触的需要。蚀刻速率很大程度上取决于光照强度和均匀性以及 KOH 溶液的 pH 值，蚀刻表面的粗糙度也是如此。双照明方案的实施，即使用额外的 UVC 灯仅照亮溶液而不是晶片，从而提高了蚀刻速率和更光滑的蚀刻表面。最后，发现沉积在以这种方式蚀刻的 n 型 GaN 上的触点的欧姆性质与未蚀刻表面上的触点相比有所改善。

关键词： GaN、氮化镓、湿蚀刻、UV、PEC、加工、表面

介绍

  GaN 及其与 InGaN 和 AlGaN 的合金形成宽带隙半导体材料系统，具有众多光学和电子器件应用。波长范围从 1.9eV (InN) 到 6.2eV (AlN)，涵盖技术上重要的紫外 (UV) 和可见光谱范围。此外，由于宽带隙和高粘合强度，该材料具有高耐化学性和耐辐射性。由于之前没有半导体材料能够满足对蓝色、绿色和紫外线激光器和发光器件的商业需求