《炬丰科技-半导体工艺》SPM工艺在光刻胶全湿剥离中的应用

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《炬丰科技-半导体工艺》中介绍了SPM工艺如何在光刻胶全湿剥离过程中实现低材料损失，特别讨论了4:3的硫酸-过氧化氢混合比例对温升的影响，以及蒸汽注入SPM工艺如何优化剥离效果，满足LDD植入物的材料损失要求。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：SPM工艺在光刻胶全湿剥离中的应用

编号：JFKJ-21-416

作者：炬丰科技

低材料损失——“全湿”驱动器

去除结皮的高活化能

SPM 混合是放热的

4:3 的比例会产生最高的温升，但需要更高的浓度（H2O2 包含 69% 的水，这会稀释并降低反应性）

 

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