本文详细介绍了硅的湿化学蚀刻和清洗过程，特别是在半导体工艺中的应用。清洗过程通常采用RCA流程，确保去除晶片表面的有机和无机污染物。文章还提到了各向异性氢氧化钾蚀刻，这是深度蚀刻的一个关键步骤。内容涵盖了湿化学配方的选择及其在硅器件制造中的重要性。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅的湿化学蚀刻和清洗
编号：JFKJ-21-255
作者：炬丰科技
引言
与硅器件、电路和系统相关的研究和制造通常依赖于硅晶片的湿化学蚀刻。深度蚀刻和微加工、成型和清洗需要使用液体溶液溶解硅。此外，湿化学通常用于单晶硅材料中的缺陷描绘。本文综述了工程师们使用的典型湿化学配方。已经使用了尽可能多的来源来呈现蚀刻剂和工艺的简明列表。
晶圆清洗
一系列化学物质通常用于清洗硅片。这种化学顺序不会侵蚀硅材料，而是选择性地去除残留在晶片表面的有机和无机污染物。以下是典型的RCA流程；在整个工业中，对顺序和化学比率的排序使用了许多变化。
各向异性氢氧化钾蚀刻
结论 略
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