《炬丰科技-半导体工艺》干/湿蚀刻工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：干/湿蚀刻工艺

编号：JFKJ-21-194

作者：炬丰科技

•蚀刻过程的目的  

描述蚀刻过程的相关术语  

•湿式和干式蚀刻的区别和用途  

•干蚀刻类型  

•等离子体增强的优点  

•用于纳米制造的新蚀刻方法  

光刻过程  

•光刻胶暴露在光线下的区域  

•发展只会让这些区域开放  

蚀刻去除基片区域未被屏蔽  

•为功能使用创建结构  

•去除功能下面的氧化层，允许运动  

什么是蚀刻？

•纯硅反应性强，形成SiO2  

•大块结构的模式和移除  

•二氧化硅  

•用作绝缘体或掺杂的硬涂层  

腐蚀过程特性        略

蚀刻-湿的和干的     略

湿式蚀刻      略

实践问题      略