《炬丰科技-半导体工艺》高性能单片清洗系统

高性能单片清洗系统解决SPM清洗难题
最新推荐文章于 2022-07-16 16:17:44 发布
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当前的批量清洗系统无法满足28nm以下的清洁规范，而单片清洗系统则存在化学物质消耗大、环境污染的问题。ACM的Ultra-C清洗系统通过间歇式SPM技术，在满足28nm技术规格的同时，减少了80%以上的SPM化学成分使用，实现了环保和性能的双重提升。这种创新方法结合了批量和单片清洗的优点，降低了对环境的影响。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：高性能单片清洗系统

编号：JFKJ-21-185

作者：炬丰科技

  批次SPM清洗不符合当前的清洁规范，以及单晶片清洗替代方案对环境造成严重破坏。 为了解决这个难题，ACM开发了Ultra-C作为植入后、cmp后和蚀刻后清洁的环保选择。 收集的数据演示了Ultra-C Tahoe如何满足28nm的要求，同时节省超过80%的SPM。 

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