《炬丰科技-半导体工艺》集成微加工平台各向异性腐蚀

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：集成微加工平台各向异性腐蚀

编号：JFKJ-21-161

作者：炬丰科技

摘要

  本研究提出了一种批量微加工方法 ： 在单晶硅上的制造平台。 制作平台采用了垂直角补偿结构和概念保护结构集成了各向异性蚀刻和DRIE工艺。 基于这些特点湿各向异性刻蚀和DRIE，各种MEMS 组件使用大块microma贴合平台进行演示。 例如，游离悬浮薄由形成的薄膜结构和倾斜结构采用湿法蚀刻法制备晶体平面。 在另一方面，有任意形状的台地和空腔以及不同高度(或深度)的结构是由DRIE的特性来实现的。 自上述结构可以制作和集成格栅使用提出的制作平台，大量微加工工艺的应用将显著增加。  

关键词DRIE，湿各向异性刻蚀，本体微加工

介绍  

  块体硅微加工被认为是微加工的一种主要的MEMS制造技术。 在硅基板上刻蚀后，可得到多种密封加工结构。 此外，凸角底切效应被广泛应用于制备自由悬浮薄膜结构。 目前, 高纵横比器件越来越多在MEMS应用中非常重要。 例如，晶体硅片也被用作材料，以增加它们的惯性和刚度。 湿各向异性蚀刻和DRIE深反应离子蚀刻，两种最常见的深硅蚀刻技术。然而，湿各向异性蚀刻的应用是仅限于硅衬底的晶面和凸角咬边效应; DRIE技术是不能制造自由悬挂结构。 因此, 现有的大块硅微加工工艺有限的可用元件成为强大的晶圆厂平台。采用垂直角补偿的概念结构，以防止在湿各向异性腐蚀表现中。 保护结构也被用来保护非晶面。 因此，可以使用干湿各向异性蚀刻协助增加各种批量微加工MEMS器件。在DRIE的助手下，台地和使用该方法可以制造任意形状的空腔湿的各向异性腐蚀。 此外，这些台地和空腔可以进一步与悬浮薄膜结合结构体与结构体形成倾斜 晶面。

......

本文讲述了概念和制造过程，原因，结论等问题