RSQ035N03FRA-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**VBsemi N-Channel MOSFET RSQ035N03FRA-VB**

- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - N-Channel沟道
  - 额定电压：30V
  - 额定电流：6A
  - 导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
  - 阈值电压（Vth）：1.2V
- **封装：** SOT23-6

**产品简介：**

RSQ035N03FRA-VB是VBsemi生产的N-Channel MOSFET，适用于低功率应用。具有30V的额定电压和6A的额定电流。其低导通电阻和合适的阈值电压使其在低功率电路中表现出色。

**详细参数说明：**

1. **额定电压（VDS）：** 30V的额定电压使得该MOSFET适用于低电压的电路设计，如移动设备、低功率电源等。

2. **额定电流（ID）：** 6A的额定电流表示它可以承受中等负载电流，适用于低功率应用。

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为30mΩ，这意味着在导通状态下，器件会产生较低的功率损耗。

4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.2V，这使得器件易于控制，适用于低功率电路设计。

**适用领域和模块举例：**

1. **移动设备：** 由于其小封装和低功率特性，可用于智能手机、平板电脑等移动设备中的电源管理和电路保护。

2. **低功率电源：** 在低功率电源模块中，可用于稳压和电流控制电路，如USB充电器、小型电池供电设备等。

3. **LED照明控制：** 在LED照明系统中，可用于电流调节和照明控制电路，确保LED灯的稳定性和效率。

4. **传感器接口：** 适用于传感器接口电路，如温度传感器、湿度传感器等，以实现传感器数据的准确采集和处理。

综上所述，RSQ035N03FRA-VB是一款性能可靠的N-Channel MOSFET，适用于低功率应用，包括移动设备、低功率电源、LED照明控制以及传感器接口等领域。