26P3LLH6-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介

VBsemi 的 26P3LLH6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。这款 MOSFET 具有高效的导通特性和低导通电阻，适用于各种电源和开关应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 26P3LLH6-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS = 4.5V, 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏电流 (ID)**: 70A
- **技术**: 沟槽技术 (Trench)

### 应用领域和模块示例

1. **电源模块**: 26P3LLH6-VB MOSFET 可用于各种电源模块，例如直流-直流转换器 (DC-DC) 和直流-交流转换器 (DC-AC)。其低导通电阻和高漏电流能力有助于提高转换效率和稳定性。

2. **电池管理系统**: 在电池管理系统中，这款 MOSFET 可用于电池保护电路和电池充放电控制。其低导通电阻和高可靠性使其成为电池系统中的理想选择。

3. **电机驱动**: 对于低电压电机驱动，例如电动工具和小型电动车辆，26P3LLH6-VB 可用作电机控制开关。其高漏电流和低导通电阻可提供高效的电机运行。

4. **照明应用**: 在 LED 照明系统中，这款 MOSFET 可用于驱动和控制 LED 灯。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提供稳定的电源和亮度控制。

5. **工业自动化**: 在工业自动化设备中，这款 MOSFET 可用于控制器、继电器和其他自动化设备中，提供可靠的开关性能和高效的功率传输。