26NM60N-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

### 产品概述：26NM60N-VB

26NM60N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高电压和高电流特性。它采用TO247封装，适用于高功率应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压特性，适用于要求高效率和高可靠性的电源管理和功率控制应用。

### 详细规格

- **封装**：TO247
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压（V_DS）**：650V
- **栅极-源极电压（V_GS）**：±30V
- **阈值电压（V_th）**：3.5V
- **导通电阻（R_DS(ON)）**：75mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流（I_D）**：47A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用及使用场景

1. **电源管理**：
   - **开关电源**：由于其高耐压和低导通电阻，适用于开关电源中的功率开关，提供高效率的电源转换。
   - **太阳能逆变器**：可用于太阳能逆变器中的功率开关，提供高效的太阳能电能转换。

2. **工业控制**：
   - **工业电机控制**：在工业控制系统中，可用于工业电机控制器，提供高效的电机控制。
   - **UPS系统**：适用于UPS系统中的功率开关，确保高效率的电池备份电源。

3. **电动汽车**：
   - **电动汽车控制器**：在电动汽车控制系统中，可用于电动汽车驱动器，提供高效的电动汽车控制和动力输出。
   - **充电桩**：适用于电动汽车充电桩中的功率开关，提供高效的充电性能。

通过其高耐压和高电流特性，26NM60N-VB适用于多种高功率应用场景，为工程师和设计者提供高性能的电源管理和功率控制解决方案。