05N50H-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
VBsemi的05N50H-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种应用。该器件具有高漏极电压、适中的导通电阻和电流，适用于要求中等功率和高电压的电源、DC-DC转换器、电机控制等应用。

**详细参数说明：**
- **型号：** 05N50H-VB
- **封装：** TO252
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 650V
- **门源电压（VGS）：** 30V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 5A
- **技术：** SJ_Multi-EPI

**应用示例：**
- **电源：** 该MOSFET可用于中等功率和高电压的开关模式电源中，以稳定和调节电压。
- **DC-DC转换器：** 用于DC-DC转换器电路中，以实现不同电压级之间的转换。
- **电机控制：** 可用于中等功率电机控制电路，以调节和控制电机的转速。

如果您需要更详细的信息或其他帮助，请告诉我！