04N50C3-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

以下是您请求的信息：

**产品简介：**

VBsemi的04N50C3-VB是一款TO252封装的单N沟道场效应管。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的门-源电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），以及在VGS=10V时为1000mΩ的导通电阻（RDS(ON)），并且能够承受5A的漏极电流（ID）。该产品采用SJ_Multi-EPI技术制造。

**详细参数说明：**

- 封装：TO252
- 构型：单N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（门-源电压）：30V（±V）
- Vth（阈值电压）：3.5V
- RDS(ON)（导通电阻）：1000mΩ @ VGS=10V
- ID（漏极电流）：5A
- 技术：SJ_Multi-EPI

**适用领域和模块示例：**

1. **电源开关**：由于其较高的漏极-源极电压和低导通电阻，可用于开关电源的设计，例如开关模式电源和变换器。
2. **照明驱动**：在LED照明驱动电路中，可用作功率开关，控制LED的亮度和电流。
3. **电动汽车充电桩**：用于控制充电桩的功率开关和调节，确保安全高效的电动汽车充电。
4. **太阳能逆变器**：用于太阳能电池板系统中的逆变器，将直流电转换为交流电。
5. **工业电子**：用于工业控制和电源管理，如电机驱动器、UPS系统等。

以上是对04N50C3-VB产品的简介、参数说明和适用领域和模块的说明。