05N50E-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

05N50E-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、1100mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及7A的漏极电流（ID）。该产品采用Plannar技术，适用于中高压应用。

### 参数说明

- **封装：** TO220F
- **结构：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 30V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON))：** 1100mΩ@VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 7A
- **技术：** Plannar

### 应用领域和模块举例

1. **电源逆变器：** 05N50E-VB适用于中高压的电源逆变器，如工业用逆变器和太阳能逆变器等，用于将直流电转换为交流电。

2. **照明驱动：** 在需要处理中高压的LED照明应用中，该产品可用于LED驱动器的功率开关。

3. **电动汽车充电桩：** 由于具有较高的漏极-源极电压和适度的漏极电流，05N50E-VB适用于电动汽车充电桩的电源开关。

4. **工业控制系统：** 在工业控制系统中，需要承受中高压的电源开关和电流控制，例如电机控制、电源管理等，该产品可用于这些应用。

5. **高压电源管理：** 由于具有较高的漏极-源极电压，05N50E-VB适用于需要处理中高压的电源管理应用，如开关电源和DC-DC变换器。