FDB2532-VB一种N沟道TO263封装MOS管

型号：FDB2532-VB
丝印：VBL1141N
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：TO263
- 沟道类型：N—Channel
- 额定电压：150V
- 最大电流：90A
- 开态电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：1~3V

应用简介：
FDB2532-VB是VBsemi推出的一款TO263封装的N—Channel沟道功率MOSFET。具有150V的额定电压和最大90A的电流承受能力，以及在VGS为10V和VGS为20V时的低开态电阻（RDS(ON)）为11mΩ，具备优异的性能特点。阈值电压（Vth）在1~3V范围内，适用于多种应用场景。

详细参数说明：
1. **封装类型：** TO263
2. **沟道类型：** N—Channel
3. **额定电压：** 150V
4. **最大电流：** 90A
5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压（Vth）：** 1~3V

应用领域：
FDB2532-VB适用于以下领域的模块：
1. **电源模块：** 由于其较高的额定电压和电流承受能力，特别适用于电源模块，能够提供稳定的电源输出。
2. **电机驱动：** 具备较低的开态电阻，适用于电机驱动模块，能够实现高效的电能转换。
3. **工业自动化：** 在工业自动化领域，可用于控制系统中的功率开关。

以上是FDB2532-VB的详细参数说明和应用简介，该产品在电源模块、电机驱动和工业自动化等领域具有广泛的应用潜力。