PSMN034-100BS-VB一种N沟道TO263封装MOS管

型号: PSMN034-100BS-VB
丝印: VBL1104N
品牌: VBsemi
参数: TO263；N—Channel沟道, 100V；45A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
封装: TO263

**详细参数说明:**
- **型号**: PSMN034-100BS-VB
- **丝印**: VBL1104N
- **品牌**: VBsemi
- **参数**: 
  - 封装: TO263
  - 沟道类型: N-Channel
  - 额定电压: 100V
  - 额定电流: 45A
  - 开态电阻 (RDS(ON)): 32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 门源极阈值电压 (Vth): 2V

**应用简介:**
该产品适用于各种电子领域，具有优越的性能和稳定性，特别适用于以下领域模块：

1. **电源模块:**
   由于其较高的额定电压和电流能力，PSMN034-100BS-VB非常适用于电源模块，包括直流电源和开关电源。

2. **电机驱动模块:**
   该器件的高电流特性使其成为电机驱动模块的理想选择，可用于各种电机控制应用。

3. **电源逆变器:**
   适用于电源逆变器，能够在不同的电压和频率要求下提供可靠的性能。

4. **电源管理系统:**
   由于其低开态电阻和高电流能力，适用于电源管理系统，确保高效的电能转换和分配。

请注意，以上仅为一般性建议，具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。