SI4946BEY-T1-E3-VB一种2个N沟道SOP8封装MOS管

本文介绍了VBsemi品牌SI4946BEY-T1-E3-VBMOSFET的详细规格,包括其SOP8封装、双N-Channel设计,以及在电源模块、电池管理、电流控制和工业控制等领域的应用。使用时务必参考数据手册进行精确设计。

型号:SI4946BEY-T1-E3-VB  
丝印:VBA3638  
品牌:VBsemi  

**参数:**  
- 封装:SOP8  
- 沟道类型:2个N—Channel  
- 最大电压:60V  
- 最大电流:6A  
- 开启电阻(RDS(ON)):27mΩ @ VGS=10V, 27mΩ @ VGS=20V  
- 阈值电压(Vth):1.5V  

**应用简介:**  
SI4946BEY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的双N—Channel沟道MOSFET,适用于多种应用场景。以下是它可能用在的一些领域模块:

1. **电源模块:** 由于SI4946BEY-T1-E3-VB具有双沟道设计,适用于电源开关模块,提供高效且稳定的电源输出。

2. **电池管理:** 可用于电池保护电路,充电和放电控制,确保电池安全可靠运行。

3. **电流控制模块:** 用于电流控制和调光模块,例如LED驱动电路、电机驱动等应用。

4. **电源开关和逆变器:** 适用于构建各种电源开关和逆变器,用于电能的高效转换。

5. **工业控制系统:** 由于其高电流和电压能力,可能用于工业控制系统中的开关电源和电机控制。

请注意,在使用这种器件时,确保参考其数据手册以获取详细的电性能和工作条件。不同的应用领域可能需要特定的设计和电路配置。

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