型号:SQ9945BEY-T1-GE3丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:- 类型:2个N沟道MOSFET- 最大耐压:60V- 最大电流:6A- 导通电阻:27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V- 门源电压:20Vgs (±V)- 门阈电压:1.5Vth- 封装:SOP8

应用简介:SQ9945BEY-T1-GE3是一款具有双N沟道MOSFET的器件,适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为60V,最大电流为6A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1. 电源管理模块:可用于DC-DC变换器、稳压器和电源开关等。2. 高效逆变器模块:适用于太阳能逆变器、UPS电源和电动车充电器等。3. 电机驱动模块:可用于驱动大功率电机和步进电机等。总之,SQ9945BEY-T1-GE3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计,包括电源管理、逆变器和电机驱动模块等。
本文介绍了VBsemi品牌SQ9945BEY-T1-GE3的详细参数,特别强调其在高功率应用中的优势,如电源管理、逆变器和电机驱动,适合控制多个N沟道MOSFET的模块设计.
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