射频与微波固体功率放大器中包含三个术语:
- 一是射频与微波,这意味跨越的频率范围从几十万赫兹到微波波段的毫米波段。在这样的一个频段内的电路形式是从集中参数到分布参数或它们的组合,什么电路形式几乎都可遇到。这个频段中与电路结构形式、元器件种类有关的寄生电容、引线电感、电磁互耦的影响是不可忽略的,有时甚至起到了至关重要的作用。
- 二是固体,这实际上局限本书选用的器件是晶体管-固体器件。即各种晶体管,如现在流行的GAN晶体管。
- 三是功率放大器。众所周知,功率放大器是工作在大信号状态、极限状态的。晶体管在大信号驱动下会进入截止区和饱和区,即进入非线性状态。要建立合适的大信号晶体管模型才能深入的对晶体管功率放大器进行定量的分析。另一种分析方法是进行一些切合实际的近似假设,得到一些简化的工程设计方法。然后,把这些设计结果与通过计算机仿真得到的结果,以及对实际建立的电路进行测量得到的结果,三者进行比较。由此,可得到一系列指导电路设计的结论,也证明了近似假设的正确性。
由于功率放大器工作在极限状态,这就存在三个问题:
- 选型:其一是正确的根据供电电压、输出功率、工作类别等选择晶体管的种类和型号。
- 散热:其二是晶体管的效率是有限的,总会有一部分直流功率转变成晶体管的热能。如何才能保证晶体管良好的散热,让管芯工作在安全温度下。
- 保护电路:**其三是要设计保护电路。当晶体管遇到意外情况时(例如,负载严重失配引起晶体管外封装过热),自动切断电源,以免晶体管受损。
现代固体功率晶体管都是由很多小的功率单元并联而成的,双极晶体管在并联时,发射极还串联平衡电阻,这就给射频和微波功率放大器的设计带来了几个问题:
- 连线和结点的分布式参数影响:连接各单元的连线和连线总的结点连到外封装的引线造成的引线电感及对地分布电容给放大器设计带来了问题。设计时必须考虑它们带来的影响。
- 低输入和输出阻抗造成宽带匹配困难:并联后形成的大功率晶体管具有很低的输入和输出阻抗,特别是功率达几十、上百瓦的功率放大器,其输入阻抗的实部仅为零点几欧姆。这样低的输入和输出阻抗给匹配,特别是宽带匹配带来了一定的困难。因此,功率放大器的设计中有很大一部分工作是匹配网络的设计。
传统功率放大器根据偏置状态分为A类、AB类、B类和C类。主要是导通角不同,对应效率不同,A类导通角最大,线性最好,但效率最低,C类导通角最小,线性差,单效率高。
为了进一步提高功率放大器的效率,又出现了开关模功率放大器,即D类放大器。随后又发展出E类、F类和逆F类功率放大器,这种功率放大器的效率可达到90%。
众多的基站、手持机要求提高功率放大器的效率,而且是输入信号大动态范围下的平均效率。新的通信体制对功率放大器的线性度也提出了极高的要求。这些都促进了功率放大器的发展及技术进步。
参考资料:
- 《射频与微波晶体管功率放大器工程》